YangJie: электронные компоненты

BC856BW

Корпус SOT323, Транзистор биполярный PNP, Р=200 мВт, Uкэ.макс. -65 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии -0.65 В, Ток коллектора -0.1 А, Граничная частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 220, Коэффициент усиления по току, max 475

SMCJ58CA

Диод защитный от перенапряжения - TVS (супрессор) 58В включение 93.6В ограничение SMC

MG75P12E2A

Модуль IGBT 1200В 75А

SMBJ130CA

Диод защитный от перенапряжения - TVS (супрессор) 130В включение 209В ограничение SMB

SMBJ130A

Диод защитный от перенапряжения - TVS (супрессор) 130В включение 209В ограничение SMB

SMBJ22A

BAS16

Диод выпрямительный общего применения 85В 0.2А

MT110C16T1

GS5M

Диод 1000В 5А

YJL2304A

Корпус SOT23, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 30 В, Iс ном. при 25°C 3.6 А, Rот.(мин) 26 мОм, Rот.при Uз(ном), min 26 мОм, Rот.при Uз(ном), max 39 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 6.08 нКл, Р=1 Вт, Сз=314пФ

KBJ1010

Однофазный выпрямительный мост, Urmax 1кВ, If 3,6А, Ifsm 175А

SMAJ15CA

Корпус DO214AC, Iимп.макс. 16.39 А, Uраб. 15 В, Uогр.(диап.), min 16.7 В, Uогр.(диап.), max 18.5 В, 400W, 15V V(RWM), DO-214AC, Iут.при Uраб. 1 мкА, Рпик=400 Вт, Тип супрессора двунаправленный, Uогр.(ном.) 17.6 В, Uимп.макс.24.4 В, Р=1 Вт

SS54B

Шоттки 40В 5А

MG450HF12TLE3

SMA5921A

Стабилитрон 6.8В 0.37вт

YJJ09N03A

Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 30 В, Iс ном. при 25°C 9 А, Rот.(мин) 9 мОм, Rот.при Uз(ном), min 9 мОм, Rот.при Uз(ном), max 12 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 23.6 нКл, Р=1.25 Вт, Сз=1 015пФ

MD50H16FJ

Обратное напряжение (повт. имп.) 1.6 кВ, Прямой ток (макс.) 50 A, Прямое напряжение 1.4 В, Динамическое сопротивление 150 мОм

2N7002

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 0.115A(постоянный), 0.8A(импульсный) 0.2Вт

MUR860FL

Диод быстродействующий 600В 8А

SS310

Шоттки 100V 3A 0.85V

MMBTA06

Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 0.5 А, 0.3Вт

MG200HF12TLC2

MBRU20100CTA

BC858B

Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 0.1 А