Промэлектроника
- Остаток
- 0
- MOQ / кратность
- 1 / 3 000
- Срок
- 0 дн.
- Обновлено
- 13.08.2026 12:39
Код товара ChipBaza: CB-197464
Заказ и консультация менеджера
Укажите название товара, MPN/код CB-197464 и необходимое количество.
В MAX найдите нас по номеру +7 958 623-59-59.
Цена указана за 1 шт. Итоговое наличие и срок поставки менеджер подтвердит при обработке заказа.
| Количество | Цена за 1 шт |
|---|---|
| от 1 шт | 18,25 ₽ |
| от 205 шт | 16,45 ₽ |
| от 410 шт | 14,99 ₽ |
| от 819 шт | 13,75 ₽ |
| от 1 638 шт | 12,93 ₽ |
Все варианты относятся к одной карточке производителя и MPN. Наличие, цена и срок подтверждаются менеджером перед поставкой.
| Предложение | Цена | Остаток | MOQ / кратность | Срок | Обновлено |
|---|---|---|---|---|---|
| Промэлектроника | 18,25 ₽ | 0 | 1 / 3 000 | 0 дн. | 13.08.2026 12:39 |
Добавьте товар в корзину или отправьте заявку на sales@chipbaza.ru.
Товар поставляется под заказ. Менеджер уточнит доступное количество.
Срок зависит от доступности товара. Уточните его у менеджера до оплаты.
Техническая документация доступна для просмотра и скачивания на сайте ChipBaza.
YangJie YJJ09N03A — техническая документация.pdfТранзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 30 В, Iс ном. при 25°C 9 А, Rот.(мин) 9 мОм, Rот.при Uз(ном), min 9 мОм, Rот.при Uз(ном), max 12 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 23.6 нКл, Р=1.25 Вт, Сз=1 015пФ
Перейдите к товарам того же производителя или к связанным разделам каталога.
Позиции подбираются по категории и доступным характеристикам. Это не подтверждает взаимозаменяемость — совместимость по точному артикулу уточните у менеджера.
Под заказ
Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 60 В, Iс ном. при 25°C 5 А, Rот.(мин) 34 мОм, Rот.при Uз(ном), min 34 мОм, Rот.при Uз(ном), max 36 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 26.4 нКл, Р=1.25 Вт, Сз=1 018пФ
Под заказ
Корпус SOT236, Транзистор MOSFET Р-N-кан.Uс-и макс. 20 В, Iс ном. при 25°C 5.6 А, Rот.(мин) 19.5 мОм, Rот.при Uз(ном), min 19.5 мОм, Rот.при Uз(ном), max 33 мОм, диап. Uз мин. 1.8 В, диап. Uз макс. 4.5 В, Uз макс. 10 В, Qз 6.05 нКл, Р=1.3 Вт, Сз=418пФ
Под заказ
Транзистор MOSFET 2N-канальный, Uс-и макс. 20 В, Iс ном. при 25°C 7 А, Rот.(мин) 13 мОм, Rот.при Uз(ном), min 13 мОм, Rот.при Uз(ном), max 21 мОм, диап. Uз мин. 1.8 В, диап. Uз макс. 4.5 В, Uз макс. 10 В, Qз 11.05 нКл, Р=1.5 Вт, Сз=888пФ
Дополнительные позиции производителя из других разделов каталога.