YangJie: электронные компоненты

BZT52C43Q

BZT52C3V3

Корпус SOD123, Напряжение стабилизации 3.3 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 95 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 3.3V V(Z), 6.06%, 0.5W, Silicon, Unidirectional

BZT52C5V1

BY255G

Корпус DO201AD, Диод одиночный, Uобр.макс. 1.3 кВ, Iпрям. (сред.) 3 А, Uпрям. 1 В, Iобр. 2.5 мкА, Емкость перехода 31пФ, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Монтаж на плату, THT

1N4007S

Диод одиночный, Uобр.макс. 1 кВ, Iпрям. (сред.) 1 А, Uпрям. 1.1 В, Особенности General Purpose, Iобр. 5 мкА, Рабочая температура -55 °C, Рабочая температура 125 °C, Монтаж на плату, THT

SS5U100PA

MBR10100CDS

Корпус TO252, Сборка диодная, Uобр.макс. 100 В, Iпрям. (сред.) 10 А, Uпрям. 830 мВ, Iобр. 100 мкА, Емкость перехода 400пФ, Рабочая температура -55 °C, Рабочая температура 175 °C, Монтаж на плату, SMT

MBRL2060CT

Корпус TO220AB, Сборка диодная, общий катод, Uобр.макс. 60 В, Iпрям. (сред.) 20 А, Uпрям. 600 мВ, Особенности Шоттки, Iобр. 200 мкА, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Монтаж на плату, THT

MBR20150CTS

MBR20200CTS

Корпус TO220AB, Сборка диодная, общий катод, Uобр.макс. 200 В, Iпрям. (сред.) 20 А, Uпрям. 950 мВ, Iобр. 100 мкА, Емкость перехода 300пФ, Рабочая температура -55 °C, Рабочая температура 175 °C, Монтаж на плату, THT

1N5819

MBR2060CTS

SS10U100

Корпус TO277A, Диод одиночный, Uобр.макс. 100 В, Iпрям. (сред.) 10 А, Uпрям. 650 мВ, Особенности Шоттки, Iобр. 100 мкА, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Монтаж на плату, SMT

B5819WQ

Диод одиночный, Uобр.макс. 40 В, Iпрям. (сред.) 1 А, Uпрям. 900 мВ, Особенности Schottky, Iобр. 40 мкА, Емкость перехода 120пФ, Рабочая температура -55 °C, Рабочая температура 125 °C, Монтаж на плату

MBR20150CD

Корпус TO252, Сборка диодная, общий катод, Uобр.макс. 150 В, Iпрям. (сред.) 20 А, Uпрям. 870 мВ, Особенности Шоттки, Iобр. 100 мкА, Емкость перехода 600пФ, Рабочая температура -55 °C...+175 °C, Монтаж на плату, SMT

SR10100L

Корпус DO201AD, Диод одиночный, Uобр.макс. 100 В, Iпрям. (сред.) 10 А, Uпрям. 750 мВ, Особенности Шоттки, Iобр. 200 мкА, Емкость перехода 700пФ, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Монтаж на плату, THT

SR560

Корпус DO201AD, Диод одиночный, Uобр.макс. 60 В, Iпрям. (сред.) 5 А, Uпрям. 700 мВ, Особенности Шоттки, Iобр. 200 мкА, Емкость перехода 220пФ, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Монтаж на плату, THT

MBRL20100CT

Корпус TO220AB, Сборка диодная, общий катод, Uобр.макс. 100 В, Iпрям. (сред.) 20 А, Uпрям. 720 мВ, Особенности Шоттки, Iобр. 100 мкА, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Монтаж на плату, THT

MBRL30100CT

DTC124ECA

Корпус SOT23, Транзистор биполярный NPN, Р=200 мВт, Uкэ.макс. 50 В, Ток коллектора 100 мА, Граничная частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 56, Встроенное сопротивление в базовой цепи 22 кОм, Встроенное сопротивление в цепи БЭ 22 кОм

DTA144ECA

Корпус SOT23, Транзистор биполярный PNP, Р=200 мВт, Uкэ.макс. -50 В, Ток коллектора -0.03 А, Граничная частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 68, Встроенное сопротивление в базовой цепи 47 кОм, Встроенное сопротивление в цепи БЭ 47 кОм

ESD5V0D5

Корпус SOD523, Iимп.макс. 13 А, Uраб. 5 В, Uогр.(диап.), min 6.2 В, Uогр.(диап.), max 7.5 В, 221W, 5V V(RWM), Iут.при Uраб. 1 мкА, Рпик=221 Вт, Тип супрессора однонаправленный, Uогр.(ном.) 6.85 В, Паразитная емкость перехода 100пФ, Uимп.макс.17 В

ESDSLC24VD3BA

ESD5V0D5B

Корпус SOD523, Iимп.макс. 8 А, Uраб. 5 В, Uогр.(диап.), min 5.8 В, Uогр.(диап.), max 8.7 В, 5V V(RWM), Iут.при Uраб. 1 мкА, Тип супрессора двунаправленный, Uогр.(ном.) 7.25 В, Паразитная емкость перехода 35пФ, Uимп.макс.16 В