YangJie: электронные компоненты

YJS4409A

SMBJ16CA

Корпус DO214AA, Iимп.макс. 23.08 А, Uраб. 16 В, Uогр.(диап.), min 17.8 В, Uогр.(диап.), max 19.7 В, 16V V(RWM), Bidirectional, Iут.при Uраб. 1 мкА, Рпик=600 Вт, Тип супрессора двунаправленный, Uогр.(ном.) 18.75 В, Uимп.макс.26 В, Р=5 Вт

BZX84C3V6

Корпус SOT23, Напряжение стабилизации 3.6 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 90 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 3.6V V(Z), 5.56%, 0.35W, Silicon, Unidirectional

1.5KE47CA

BC847BW

Корпус SOT323, Транзистор биполярный NPN, Р=200 мВт, Uкэ.макс. 45 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 500 мВ, Ток коллектора 100 мА, Граничная частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 200, Коэффициент усиления по току, max 450

BZT52C12

Корпус SOD123, Напряжение стабилизации 12 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 25 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 12V V(Z), 5.39%, 0.5W, Silicon, Unidirectional

YJL03G10A

BAS321

YJL3400A

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 5.6A SOT-23

SMBJ26A

Корпус DO214AA, Iимп.макс. 14.25 А, Uраб. 26 В, Uогр.(диап.), min 28.9 В, Uогр.(диап.), max 31.9 В, 26V V(RWM), Unidirectional, Iут.при Uраб. 1 мкА, Рпик=600 Вт, Тип супрессора однонаправленный, Uогр.(ном.) 30.4 В, Uимп.макс.42.1 В, Р=5 Вт

ESDSLC0504S2

TVS сборка для защиты от ESD, однонаправленная

SF54

MT200C18T2

YJD120N04A

Корпус TO252, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 40 В, Iс ном. при 25°C 120 А, Rот.(мин) 2.8 мОм, Rот.при Uз(ном), min 2.8 мОм, Rот.при Uз(ном), max 4 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 102 нКл, Р=110 Вт, Сз=4 645пФ

DL4744A

Стабилитрон одиночный 15В ±5% 1Вт 2-Pin MELF

1N5343B

BZX84C11

MG40P12E1

P6SMB6.8CA

BC857C

Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.1 А, 0.25 Вт

BZX84C4V3

MG600HF12TLE3

MUR30120P

Диод выпрямительный быстродействующий 1200В 30А

BZT52B12S