Поставка электронных компонентов для бизнеса 8-800-333-19-98
ChipBaza

Производитель

YangJie: электронные компоненты

Найдено 2 329 товаров

Производитель: YangJie
BSS138DW Под заказ
YangJie Одиночные MOSFET транзисторы

BSS138DW

Корпус SOT363, Транзистор MOSFET 2N-канальный, Uс-и макс. 50 В, Iс ном. при 25°C 340 мА, Rот.(мин) 1.1 Ом, Rот.при Uз(ном), min 1.1 Ом, Rот.при Uз(ном), max 1.2 Ом, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 1.7 нКл, Р=350 мВт, Сз=28.5пФ

Цена от 5,20 ₽
2N7002KCDW Под заказ
YangJie Одиночные MOSFET транзисторы

2N7002KCDW

Корпус SOT363, Транзистор MOSFET 2N-канальный, Uс-и макс. 60 В, Iс ном. при 25°C 300 мА, Rот.(мин) 1.9 Ом, Rот.при Uз(ном), min 1.9 Ом, Rот.при Uз(ном), max 2 Ом, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 1.65 нКл, Р=300 мВт, Сз=27пФ

Цена от 5,12 ₽
YJM05N06A Под заказ
YangJie Одиночные MOSFET транзисторы

YJM05N06A

Корпус SOT223, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 60 В, Iс ном. при 25°C 5 А, Rот.(мин) 35 мОм, Rот.при Uз(ном), min 35 мОм, Rот.при Uз(ном), max 39 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 26 нКл, Р=2.5 Вт, Сз=1 018пФ

Цена от 15,44 ₽
YJD80N03A Под заказ
YangJie Одиночные MOSFET транзисторы

YJD80N03A

Корпус TO252, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 30 В, Iс ном. при 25°C 80 А, Rот.(мин) 3.6 мОм, Rот.при Uз(ном), min 3.6 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 54 нКл, Р=44 Вт, 0.006ohm, TO-252, Сз=2 504пФ

Цена от 22,82 ₽
2N7002DW Под заказ
YangJie Одиночные MOSFET транзисторы

2N7002DW

Корпус SOT363, Транзистор MOSFET 2N-канальный, Uс-и макс. 60 В, Iс ном. при 25°C 340 мА, Rот.(мин) 1.2 Ом, Rот.при Uз(ном), min 1.2 Ом, Rот.при Uз(ном), max 1.3 Ом, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 30 В, Qз 1.6 нКл, Р=150 мВт, Сз=27.5пФ

Цена от 5,21 ₽
YJL3139KT Под заказ
YangJie Одиночные MOSFET транзисторы

YJL3139KT

Транзистор MOSFET Р-кан., Uс-и макс. -20 В, Iс ном. при 25°C -0.65 А, Rот.(мин) 360 мОм, Rот.при Uз(ном), min 360 мОм, Rот.при Uз(ном), max 860 мОм, диап. Uз мин. -1.8 В, диап. Uз макс. -4.5 В, Uз макс. 12 В, Qз 1.24 нКл, Р=180 мВт, Сз=71пФ

Цена от 6,55 ₽
YJP200G06A Под заказ
YangJie Одиночные MOSFET транзисторы

YJP200G06A

Корпус TO220, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 60 В, Iс ном. при 25°C 200 А, Rот.(мин) 2.35 мОм, Rот.при Uз(ном), min 2.35 мОм, Rот.при Uз(ном), max 2.9 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 93 нКл, Р=260 Вт, Сз=5 950пФ

Цена от 73,00 ₽
YJD60N02A Под заказ
YangJie Одиночные MOSFET транзисторы

YJD60N02A

Корпус TO252, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 20 В, Iс ном. при 25°C 60 А, Rот.(мин) 4.5 мОм, Rот.при Uз(ном), min 4.5 мОм, Rот.при Uз(ном), max 8 мОм, диап. Uз мин. 1.8 В, диап. Uз макс. 4.5 В, Uз макс. 10 В, Qз 27.9 нКл, Р=29 Вт, Сз=2 250пФ

Цена от 19,10 ₽
Под заказ
YangJie Одиночные MOSFET транзисторы

YJD45G10AQ

Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 100 В, Iс ном. при 25°C 45 А, Rот.(мин) 14 мОм, Rот.при Uз(ном), min 14 мОм, Rот.при Uз(ном), max 17 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 19 нКл, Р=73 Вт, Сз=1 165пФ

Цена от 47,05 ₽
GBU1008A Под заказ
YangJie Выпрямительные мосты

GBU1008A

Корпус GBU, Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 800 В, Uпрям. 1 В, Iпрям. (средн) 10 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 3.6A, 800V V(RRM), Silicon, Рабочая температура -55 °C...+150 °C

Цена от 57,82 ₽
KBP308 Под заказ
YangJie Выпрямительные мосты

KBP308

Корпус KBP, Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 800 В, Uпрям. 1.1 В, Iпрям. (средн) 3 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, 3A, 800V V(RRM), Рабочая температура -55 °C...+150 °C

Цена от 30,16 ₽
BR3508W Под заказ
YangJie Выпрямительные мосты

BR3508W

Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 800 В, Uпрям. 1.1 В, Iпрям. (средн) 35 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, 35A, 800V V(RRM), Case BR-W, Silicon, Рабочая температура -55 °C...+150 °C

Цена от 140,82 ₽
KBPC106 Под заказ
YangJie Выпрямительные мосты

KBPC106

Корпус KBPC, Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 600 В, Uпрям. 1.1 В, Iпрям. (средн) 2 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, 2A, 600V V(RRM), Silicon, Рабочая температура -55 °C...+150 °C

Цена от 53,00 ₽
BZT52C2V7 Под заказ
YangJie Одиночные стабилитроны

BZT52C2V7

Корпус SOD123, Напряжение стабилизации 2.7 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 100 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 2.7V V(Z), 7.41%, 0.5W, Silicon, Unidirectional

Цена от 4,38 ₽