YangJie: электронные компоненты

SMF100CA

Корпус SOD123FL, Iимп.макс. 1.23 А, Uраб. 100 В, Uогр.(диап.), min 111 В, Uогр.(диап.), max 123 В, Iут.при Uраб. 1 мкА, Рпик=200 Вт, Тип супрессора двунаправленный, Uогр.(ном.) 117 В, Uимп.макс.162 В, Р=400 мВт

ESD15VD3BQ

SMCJ60A

SMCJ33CA

Корпус DO214AB, Iимп.макс. 28.14 А, Uраб. 33 В, Uогр.(диап.), min 36.7 В, Uогр.(диап.), max 40.6 В, 1500W, 33V V(RWM), DO-214AB, Iут.при Uраб. 1 мкА, Рпик=1.5 кВт, Тип супрессора двунаправленный, Uогр.(ном.) 38.65 В, Uимп.макс.53.3 В, Р=6.5 Вт

SMBJ43CAQ

Iимп.макс. 8.7 А, Uраб. 43 В, Uогр.(диап.), min 47.8 В, Uогр.(диап.), max 52.8 В, Iут.при Uраб. 1 мкА, Рпик=600 Вт, Тип супрессора двунаправленный, Uогр.(ном.) 50.3 В, Uимп.макс.69.4 В, Р=5 Вт

SMCJ24A

Корпус DO214AB, Iимп.макс. 38.56 А, Uраб. 24 В, Uогр.(диап.), min 26.7 В, Uогр.(диап.), max 29.5 В, 1500W, 24V V(RWM), DO-214AB, Iут.при Uраб. 1 мкА, Рпик=1.5 кВт, Тип супрессора однонаправленный, Uогр.(ном.) 28.1 В, Uимп.макс.38.9 В, Р=6.5 Вт

SMAJ58A

Корпус DO214AC, Iимп.макс. 4.27 А, Uраб. 58 В, Uогр.(диап.), min 64.4 В, Uогр.(диап.), max 71.2 В, 400W, 58V V(RWM), DO-214AC, Iут.при Uраб. 1 мкА, Рпик=400 Вт, Тип супрессора однонаправленный, Uогр.(ном.) 67.8 В, Uимп.макс.93.6 В, Р=1 Вт

SMAJ14CA

Корпус DO214AC, Iимп.макс. 17.24 А, Uраб. 14 В, Uогр.(диап.), min 15.6 В, Uогр.(диап.), max 17.2 В, 400W, 14V V(RWM), DO-214AC, Iут.при Uраб. 1 мкА, Рпик=400 Вт, Тип супрессора двунаправленный, Uогр.(ном.) 16.4 В, Uимп.макс.23.2 В, Р=1 Вт

SMBJ150CA

Корпус DO214AA, Iимп.макс. 2.47 А, Uраб. 150 В, Uогр.(диап.), min 167 В, Uогр.(диап.), max 185 В, 150V V(RWM), Bidirectional, Iут.при Uраб. 1 мкА, Рпик=600 Вт, Тип супрессора двунаправленный, Uогр.(ном.) 176 В, Uимп.макс.243 В, Р=5 Вт

SMDJ24AQ

Iимп.макс. 77.12 А, Uраб. 24 В, Uогр.(диап.), min 26.7 В, Uогр.(диап.), max 29.5 В, Iут.при Uраб. 1 мкА, Рпик=3 кВт, Тип супрессора однонаправленный, Uогр.(ном.) 28.1 В, Uимп.макс.38.9 В, Р=6.5 Вт

SMF12CA

Корпус SOD123FL, Iимп.макс. 10.05 А, Uраб. 12 В, Uогр.(диап.), min 13.3 В, Uогр.(диап.), max 14.7 В, Iут.при Uраб. 2.5 мкА, Рпик=200 Вт, Тип супрессора двунаправленный, Uогр.(ном.) 14 В, Uимп.макс.19.9 В, Р=400 мВт

SMBJ30CAQ

Iимп.макс. 12.4 А, Uраб. 30 В, Uогр.(диап.), min 33.3 В, Uогр.(диап.), max 36.8 В, Iут.при Uраб. 1 мкА, Рпик=600 Вт, Тип супрессора двунаправленный, Uогр.(ном.) 35.05 В, Uимп.макс.48.4 В, Р=5 Вт

ESD24VD3B

Корпус SOD323, Iимп.макс. 7 А, Uраб. 24 В, Uогр.(диап.), min 25 В, Uогр.(диап.), max 32 В, Iут.при Uраб. 0.5 мкА, Рпик=300 Вт, Тип супрессора двунаправленный, Uогр.(ном.) 28.5 В, Паразитная емкость перехода 17пФ, Uимп.макс.44 В

SMBJ28CA

Корпус DO214AA, Iимп.макс. 13.22 А, Uраб. 28 В, Uогр.(диап.), min 31.1 В, Uогр.(диап.), max 34.4 В, 28V V(RWM), Bidirectional, Iут.при Uраб. 1 мкА, Рпик=600 Вт, Тип супрессора двунаправленный, Uогр.(ном.) 32.75 В, Uимп.макс.45.4 В, Р=5 Вт

SMAJ33A

Корпус DO214AC, Iимп.макс. 7.5 А, Uраб. 33 В, Uогр.(диап.), min 36.7 В, Uогр.(диап.), max 40.6 В, 400W, 33V V(RWM), DO-214AC, Iут.при Uраб. 1 мкА, Рпик=400 Вт, Тип супрессора однонаправленный, Uогр.(ном.) 38.65 В, Uимп.макс.53.3 В, Р=1 Вт

SMAJ10CA

BZT52B39

GBP410

Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 1 кВ, Uпрям. 1 В, Iпрям. (средн) 4 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 4A, 1000V V(RRM), Silicon, Рабочая температура -55 °C...+150 °C

GBU806

Корпус GBU, Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 600 В, Uпрям. 1 В, Iпрям. (средн) 8 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 3.2A, 600V V(RRM), Silicon, Рабочая температура -55 °C...+150 °C

MURB2060CT

Корпус TO263, Сборка диодная, общий катод, Uобр.макс. 600 В, Iпрям. (сред.) 20 А, Uпрям. 1.6 В, Особенности Ultra Fast, Iобр. 10 мкА, Время восстановления Диодов 35 нс, Емкость перехода 40пФ, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Монтаж на плату, SMT

RL257G

YJD18GP10AQ

Транзистор MOSFET Р-кан., Uс-и макс. -100 В, Iс ном. при 25°C -18 А, Rот.(мин) 83 мОм, Rот.при Uз(ном), min 83 мОм, Rот.при Uз(ном), max 95 мОм, диап. Uз мин. -4.5 В, диап. Uз макс. -10 В, Uз макс. 20 В, Qз 20.1 нКл, Р=72 Вт, Сз=1 051пФ

YJD50N03A

Корпус TO252, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 30 В, Iс ном. при 25°C 50 А, Rот.(мин) 5.4 мОм, Rот.при Uз(ном), min 5.4 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 23.6 нКл, Р=28 Вт, 50A I(D), 30V, 0.011ohm, Сз=1 015пФ

YJD45G10B

Корпус TO252, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 100 В, Iс ном. при 25°C 45 А, Rот.(мин) 14 мОм, Rот.при Uз(ном), min 14 мОм, диап. Uз мин. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 16 нКл, Р=72 Вт, Сз=1 135пФ