Под заказ
Производитель
YangJie: электронные компоненты
Найдено 2 329 товаров
Разделы каталога
33
Под заказ
Под заказ
MF200A12F5
Сборка диодная, Uобр.макс. 1.2 кВ, Iпрям. (сред.) 200 А, Uпрям. 2.3 В, Особенности Module, Common anode, Iобр. 1 мА, Время восстановления Диодов 57 нс, Рабочая температура -40 °C...+150 °C, Монтаж под винт
Мощные выпрямительные диоды
Под заказ
MF100K06F1
Сборка диодная, общий катод, Uобр.макс. 600 В, Iпрям. (сред.) 100 А, Uпрям. 1.4 В, Iобр. 50 мкА, Время восстановления Диодов 50 нс, Рабочая температура -40 °C...+150 °C, Монтаж под винт
Мощные выпрямительные диоды
Под заказ
MD200A12D2
Обратное напряжение (повт. имп.) 1.2 кВ, Прямой ток (макс.) 200 A, Прямое напряжение 1.3 В, Динамическое сопротивление 90 мОм
Мощные выпрямительные диоды
Под заказ
MD100S18M8
Обратное напряжение (повт. имп.) 1.8 кВ, Прямой ток (макс.) 100 A, Прямое напряжение 1.9 В, Динамическое сопротивление 150 мОм
Мощные выпрямительные диоды
Под заказ
MD100C12D1
Обратное напряжение (повт. имп.) 1.2 кВ, Прямой ток (макс.) 100 A, Прямое напряжение 1.4 В, Динамическое сопротивление 175 мОм
Мощные выпрямительные диоды
Под заказ
Под заказ
BZT52C7V5
Корпус SOD123, Напряжение стабилизации 7.5 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 15 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 7.5V V(Z), 6.04%, 0.5W, Silicon, Unidirectional
Одиночные стабилитроны
Под заказ
Под заказ
Под заказ
YJL03N06C
Корпус SOT23, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 60 В, Iс ном. при 25°C 3 А, Rот.(мин) 60 мОм, Rот.при Uз(ном), min 60 мОм, Rот.при Uз(ном), max 70 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 8.8 нКл, Р=1.2 Вт, Сз=400пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
YJG105N03A
Корпус PDFN568, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 30 В, Iс ном. при 25°C 105 А, Rот.(мин) 2.45 мОм, Rот.при Uз(ном), min 2.45 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 49.5 нКл, Р=70 Вт, 0.003ohm, Сз=4 401пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Под заказ
Под заказ
SMBJ10CA
Корпус DO214AA, Iимп.макс. 35.29 А, Uраб. 10 В, Uогр.(диап.), min 11.1 В, Uогр.(диап.), max 12.3 В, 10V V(RWM), Bidirectional, Iут.при Uраб. 10 мкА, Рпик=600 Вт, Тип супрессора двунаправленный, Uогр.(ном.) 11.7 В, Uимп.макс.17 В, Р=5 Вт
Диоды защиты от перенапряжения (TVS)
Под заказ
SMAJ60CA
Корпус DO214AC, Iимп.макс. 4.13 А, Uраб. 60 В, Uогр.(диап.), min 66.7 В, Uогр.(диап.), max 73.7 В, 400W, 60V V(RWM), DO-214AC, Iут.при Uраб. 1 мкА, Рпик=400 Вт, Тип супрессора двунаправленный, Uогр.(ном.) 70.2 В, Uимп.макс.96.8 В, Р=1 Вт
Диоды защиты от перенапряжения (TVS)
Под заказ
SMAJ28CA
Корпус DO214AC, Iимп.макс. 8.81 А, Uраб. 28 В, Uогр.(диап.), min 31.1 В, Uогр.(диап.), max 34.4 В, 400W, 28V V(RWM), DO-214AC, Iут.при Uраб. 1 мкА, Рпик=400 Вт, Тип супрессора двунаправленный, Uогр.(ном.) 32.75 В, Uимп.макс.45.4 В, Р=1 Вт
Диоды защиты от перенапряжения (TVS)SMAJ26CAQ
Iимп.макс. 9.5 А, Uраб. 26 В, Uогр.(диап.), min 28.9 В, Uогр.(диап.), max 31.9 В, Iут.при Uраб. 1 мкА, Рпик=400 Вт, Тип супрессора двунаправленный, Uогр.(ном.) 30.4 В, Uимп.макс.42.1 В, Р=1.25 Вт
Диоды защиты от перенапряжения (TVS)
Под заказ
Под заказ
MUR860CT
Сборка диодная, Uобр.макс. 600 В, Iпрям. (сред.) 4 А, Uпрям. 1.5 В, Особенности Fast Recovery, Iобр. 10 мкА, Время восстановления Диодов 50 нс, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Монтаж на плату, THT
Одиночные диоды
Под заказ
MMBT3904Q
Транзистор биполярный NPN, Р=300 мВт, Напряжение КЭ максимальное 40 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 200 мВ, Ток коллектора 200 мА, Коэффициент усиления по току, min 100, Коэффициент усиления по току, max 300
Одиночные биполярные транзисторы
Под заказ
MD36K08D1
Обратное напряжение (повт. имп.) 800 В, Прямой ток (макс.) 36 A, Прямое напряжение 1.4 В, Динамическое сопротивление 500 мОм
Мощные выпрямительные диоды