ChipBaza
Получить коммерческое предложение
Проверим наличие
перед счётом

Производитель

YangJie: электронные компоненты

Найдено 2 329 товаров

Производитель: YangJie
MBRU40100FCT Под заказ
YangJie MOQ 1

MBRU40100FCT

Корпус ITO220AB, Сборка диодная, общий катод, Uобр.макс. 100 В, Iпрям. (сред.) 40 А, Uпрям. 710 мВ, Особенности Шоттки, Iобр. 100 мкА, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Монтаж на плату, THT

Цена с НДС 68,07 ₽
YJS4407C Под заказ
YangJie MOQ 1

YJS4407C

Корпус SOIC8, Транзистор MOSFET Р-кан., Uс-и макс. -30 В, Iс ном. при 25°C -12 А, Rот.(мин) 7.5 мОм, Rот.при Uз(ном), min 7.5 мОм, Rот.при Uз(ном), max 10 мОм, диап. Uз мин. -20 В, Qз 38 нКл, Р=2.5 Вт, Сз=1 860 Ф

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 23,57 ₽
YJD25N10A Под заказ
YangJie MOQ 1

YJD25N10A

Корпус TO252, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 100 В, Iс ном. при 25°C 25 А, Rот.(мин) 43 мОм, Rот.при Uз(ном), min 43 мОм, Rот.при Uз(ном), max 46 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 51.4 нКл, Р=45 Вт, Сз=2 071пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 37,71 ₽
YJB70G10A Под заказ
YangJie MOQ 1

YJB70G10A

Корпус TO263, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 100 В, Iс ном. при 25°C 70 А, Rот.(мин) 7.2 мОм, Rот.при Uз(ном), min 7.2 мОм, Rот.при Uз(ном), max 8.8 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 32 нКл, Р=125 Вт, Сз=2 270пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 80,41 ₽
SS26AQ Под заказ
YangJie MOQ 1

SS26AQ

Диод одиночный, Uобр.макс. 60 В, Iпрям. (сред.) 2 А, Uпрям. 580 мВ, Особенности Schottky, Iобр. 8 мкА, Емкость перехода 95пФ, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Монтаж на плату

Одиночные диоды Шоттки
Цена с НДС 10,21 ₽
S210F Под заказ
YangJie MOQ 1

S210F

Корпус DO221AC, Диод одиночный, Uобр.макс. 100 В, Iпрям. (сред.) 2 А, Uпрям. 850 мВ, Особенности Шоттки, Iобр. 100 мкА, Емкость перехода 70пФ, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Монтаж на плату, SMT

Одиночные диоды Шоттки
Цена с НДС 7,60 ₽
BR2508W Под заказ
YangJie MOQ 1

BR2508W

Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 800 В, Uпрям. 1.1 В, Iпрям. (средн) 25 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, 25A, 800V V(RRM),Case BR-W, Silicon, Рабочая температура -55 °C...+150 °C

Выпрямительные мосты
Цена с НДС по запросу
YJQ20N04A Под заказ
YangJie MOQ 1

YJQ20N04A

Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 40 В, Iс ном. при 25°C 20 А, Rот.(мин) 11 мОм, Rот.при Uз(ном), min 11 мОм, Rот.при Uз(ном), max 14.3 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 23.6 нКл, Р=21 Вт, Сз=917пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 20,38 ₽
SS210AQ Под заказ
YangJie MOQ 1

SS210AQ

Корпус DO214AC, Диод одиночный, Uобр.макс. 100 В, Iпрям. (сред.) 2 А, Uпрям. 770 мВ, Особенности Schottky, Iобр. 1 мкА, Емкость перехода 60пФ, Рабочая температура -55 °C, Рабочая температура 175 °C, Монтаж на плату

Одиночные диоды Шоттки
Цена с НДС 9,72 ₽