Под заказ
Производитель
YangJie: электронные компоненты
Найдено 2 329 товаров
Разделы каталога
33
Под заказ
Под заказ
YJL3139KAE
Корпус SOT523, Транзистор MOSFET Р-кан., Uс-и макс. -20 В, Iс ном. при 25°C -0.5 А, Rот.(мин) 580 мОм, Rот.при Uз(ном), min 580 мОм, Rот.при Uз(ном), max 1.35 Ом, диап. Uз мин. -1.8 В, диап. Uз макс. -4.5 В, Uз макс. 12 В, Qз 1.24 нКл, Р=180 мВт, Сз=71пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Под заказ
Под заказ
YJL05N04C
Корпус SOT23, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 40 В, Iс ном. при 25°C 5 А, Rот.(мин) 25 мОм, Rот.при Uз(ном), min 25 мОм, Rот.при Uз(ном), max 33 мОм, диап. Uз мин. 10 В, Qз 11 нКл, Р=1.2 Вт, Сз=390 Ф
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
YJJ05N06A
Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 60 В, Iс ном. при 25°C 5 А, Rот.(мин) 34 мОм, Rот.при Uз(ном), min 34 мОм, Rот.при Uз(ном), max 36 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 26.4 нКл, Р=1.25 Вт, Сз=1 018пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Под заказ
Под заказ
YJG70G06A
Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 60 В, Iс ном. при 25°C 70 А, Rот.(мин) 5.3 мОм, Rот.при Uз(ном), min 5.3 мОм, Rот.при Uз(ном), max 6.9 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 34 нКл, Р=70 Вт, Сз=2 000пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Под заказ
Под заказ
Под заказ
Под заказ
SSL34A
Корпус DO214AC, Диод одиночный, Uобр.макс. 40 В, Iпрям. (сред.) 3 А, Uпрям. 450 мВ, Особенности Шоттки, Iобр. 500 мкА, Емкость перехода 250пФ, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Монтаж на плату, SMT
Одиночные диоды Шоттки
Под заказ
SS320AQ
Диод одиночный, Uобр.макс. 200 В, Iпрям. (сред.) 3 А, Uпрям. 900 мВ, Особенности Шоттки, Iобр. 100 мкА, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Монтаж на плату, SMT
Одиночные диоды Шоттки
Под заказ
Под заказ
SMF5.0A
Корпус SOD123FL, Iимп.макс. 21.74 А, Uраб. 5 В, Uогр.(диап.), min 6.4 В, Uогр.(диап.), max 7.07 В, Iут.при Uраб. 400 мкА, Рпик=200 Вт, Тип супрессора однонаправленный, Uогр.(ном.) 6.735 В, Uимп.макс.9.2 В, Р=400 мВт
Диоды защиты от перенапряжения (TVS)