Под заказ
Производитель
YangJie: электронные компоненты
Найдено 2 329 товаров
Разделы каталога
33
Под заказ
Под заказ
KBJ1510
Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 1 кВ, Uпрям. 1.05 В, Iпрям. (средн) 15 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, 10A, 1000V V(RRM), Рабочая температура -55 °C...+150 °C
Выпрямительные мосты
Под заказ
GS5MB
Корпус DO214AA, Диод одиночный, Uобр.макс. 1 кВ, Iпрям. (сред.) 5 А, Uпрям. 1.1 В, Iобр. 5 мкА, Емкость перехода 34пФ, Рабочая температура -55 °C...+150 °C
Одиночные диоды
Под заказ
GBL210
Корпус GBL, Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 1 кВ, Uпрям. 1.05 В, Iпрям. (средн) 2 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, 2A, 1000V V(RRM), Рабочая температура -55 °C...+150 °C
Выпрямительные мосты
Под заказ
Под заказ
BZX84C22
Корпус SOT23, Напряжение стабилизации 22 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 55 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 22V V(Z), 5.67%, 0.35W, Silicon, Unidirectional
Одиночные стабилитроны
Под заказ
Под заказ
BZX584B13V
Корпус SOD523, Напряжение стабилизации 13 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 30 Ом
Одиночные стабилитроны
Под заказ
Под заказ
BZT52C15Q
Корпус SOD123, Напряжение стабилизации 15 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 30 Ом
Одиночные стабилитроны
Под заказ
Под заказ
BZT52B7V5SQ
Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 7.5 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 15 Ом
Одиночные стабилитроны
Под заказ
BZT52B22S
Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 22 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 55 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 22V V(Z), 2%, 0.2W, Silicon, Unidirectional
Одиночные стабилитроны
Под заказ
BZT52B10
Корпус SOD123, Напряжение стабилизации 10 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 15 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 10V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional
Одиночные стабилитроны
Под заказ
BR5008W
Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 800 В, Uпрям. 1.1 В, Iпрям. (средн) 50 А, Примечание Bridge Rectifier, 50A, 800V,Case BR-W, Silicon, Рабочая температура -55 °C...+150 °C
Выпрямительные мосты
Под заказ
Под заказ
Под заказ
Под заказ
1N4448WS
Корпус SOD323, Диод одиночный, Uобр.макс. 75 В, Iпрям. (сред.) 250 мА, Uпрям. 720 мВ, Особенности High Speed Switching, Iобр. 200 нА, Время восстановления Диодов 4 нс, Емкость перехода 4пФ, Рабочая температура -55 °C...+150 °C
Одиночные диоды
Под заказ
YJQ62G06A
Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 60 В, Iс ном. при 25°C 62 А, Rот.(мин) 5.8 мОм, Rот.при Uз(ном), min 5.8 мОм, Rот.при Uз(ном), max 7.3 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 34 нКл, Р=45 Вт, Сз=2 000пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
YJQ1216A
Транзистор MOSFET Р-кан., Uс-и макс. -20 В, Iс ном. при 25°C -16 А, Rот.(мин) 11 мОм, Rот.при Uз(ном), min 11 мОм, Rот.при Uз(ном), max 20 мОм, диап. Uз мин. -1.8 В, диап. Uз макс. -4.5 В, Uз макс. 10 В, Qз 72.8 нКл, Р=18 Вт, Сз=2 992пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Под заказ
YJL3401AL
Транзистор P-MOSFET, TRENCH POWER LВ, полевой, -30В, -3,5А, 1,5Вт
Одиночные MOSFET транзисторы