YangJie: электронные компоненты

MMSZ5251B

MMSZ5235B

MMSZ5223B

MMST3904

Корпус SOT323, Транзистор биполярный NPN, Р=200 мВт, Uкэ.макс. 40 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 300 мВ, Ток коллектора 50 мА, Граничная частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 100, Коэффициент усиления по току, max 300

MBRL1060CD

Корпус TO252, Сборка диодная, Uобр.макс. 60 В, Iпрям. (сред.) 10 А, Uпрям. 600 мВ, Особенности Шоттки, Iобр. 200 мкА, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Монтаж на плату, SMT

MBR3045CT

MBR160S

MBR1060CD

ESDSLC5V0LBS

DTC143EUA

Транзистор: NPN, биполярный, BRT, 50В, 0,1А, 200мВт, SOT323

DTC123JCA

DTC114YCA

Транзистор цифровой биполярный NPN 200мВт

DTA123JUA

DTA123ECA

DTA114ECA

BZX84C75

Корпус SOT23, Напряжение стабилизации 75 В, Ток стабилизации (макс) 2 мА, Импеданс (макс) 255 Ом

BZX84C62

BZX84B9V1

Корпус SOT23, Напряжение стабилизации 9.1 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 15 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 9.1V V(Z), 1.98%, 0.35W, Silicon, Unidirectional

BZX84B6V2

BZX84B20

Корпус SOT23, Напряжение стабилизации 20 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 55 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 20V V(Z), 2%, 0.35W, Silicon, Unidirectional

BZX84B12

BZX584C6V8

Корпус SOD523, Напряжение стабилизации 6.8 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 15 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 6.8V V(Z), 5.88%, 0.2W, Silicon, Unidirectional

BZX584C3V0

Корпус SOD523, Напряжение стабилизации 3 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 100 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 3V V(Z), 6.67%, 0.2W, Silicon, Unidirectional

BZX584C2V4

Стабилитрон 0.2Вт 2.4В Корпус SOD523, Напряжение стабилизации 2.4 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 100 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 2.4V V(Z), 8.33%, 0.2W, Silicon, Unidirectional