YangJie: электронные компоненты

BZX584C16V

Корпус SOD523, Напряжение стабилизации 16 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 40 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 16V V(Z), 5.56%, 0.2W, Silicon, Unidirectional

BZX584B7V5

Корпус SOD523, Напряжение стабилизации 7.5 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 15 Ом

BZX584B4V7

Корпус SOD523, Напряжение стабилизации 4.7 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 80 Ом

BZX584B22V

BZX584B15V

Корпус SOD523, Напряжение стабилизации 15 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 30 Ом

BZX584B10V

BZT52C7V5S

BZT52C6V2S

Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 6.2 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 10 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 6.2V V(Z), 6.45%, 0.2W, Silicon, Unidirectional

BZT52C5V6S

Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 5.6 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 40 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 5.6V V(Z), 7.14%, 0.2W, Silicon, Unidirectional

BZT52C30S

BZT52C24S

Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 24 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 70 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 24V V(Z), 5.79%, 0.2W, Silicon, Unidirectional

BZT52C18S

Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 18 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 45 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 18V V(Z), 6.41%, 0.2W, Silicon, Unidirectional

BZT52C13S

Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 13 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 30 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 13V V(Z), 6.42%, 0.2W, Silicon, Unidirectional

BZT52C11S

BZT52B5V1S

Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 5.1 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 60 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 5.1V V(Z), 1.96%, 0.2W, Silicon, Unidirectional

BZT52B4V7S

Стабилитрон 4.7В 0.2Вт SOD-323

BZT52B3V9

BZT52B3V3

Корпус SOD123, Напряжение стабилизации 3.3 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 95 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 3.3V V(Z), 2.73%, 0.5W, Silicon, Unidirectional

BZT52B2V7

BZT52B27S

BZT52B16S

BZT52B12

Корпус SOD123, Напряжение стабилизации 12 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 20 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 12V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional

BZT52B11

BCX55