YangJie: электронные компоненты

BCX53

BC857BW

BC849C

BC817DPN

BC807-25W

Корпус SOT323, Транзистор биполярный PNP, Р=200 мВт, Uкэ.макс. -45 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии -0.7 В, Ток коллектора -0.5 А, Граничная частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 160, Коэффициент усиления по току, max 400

BAV199WT

Диод выпрямительный сборка 100В 160мА

BAS716

Корпус SOD523, Диод одиночный, Uобр.макс. 75 В, Iпрям. (сред.) 200 мА, Uпрям. 1.25 В, Iобр. 5 нА, Время восстановления Диодов 3 мкс, Рабочая температура 150 °C, Монтаж на плату, SMT

BAS416

BAS16WT

Корпус SOT323, Диод одиночный, Uобр.макс. 100 В, Iпрям. (сред.) 150 мА, Uпрям. 1.25 В, Iобр. 2.5 мкА, Время восстановления Диодов 4 нс, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Монтаж на плату, SMT

B5818WS

Корпус SOD323, Диод одиночный, Uобр.макс. 30 В, Iпрям. (сред.) 1 А, Uпрям. 550 мВ, Особенности Шоттки, Iобр. 40 мкА, Рабочая температура -65 °C, Рабочая температура 125 °C, Монтаж на плату, SMT

B0530WS

Корпус SOD323, Диод одиночный, Uобр.макс. 30 В, Iпрям. (сред.) 500 мА, Uпрям. 550 мВ, Особенности Шоттки, Iобр. 100 мкА, Рабочая температура -55 °C, Рабочая температура 125 °C, Монтаж на плату, SMT

2SC4081-R

Корпус SOT323, Транзистор биполярный NPN, Р=200 мВт, Uкэ.макс. 50 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 400 мВ, Ток коллектора 50 мА, Граничная частота 180 МГц, Коэффициент усиления по току, min 180, Коэффициент усиления по току, max 390

SS14A

Шоттки 40В 1А

BC847BS

BC846BPN

Транзистор биполярный сборка NPN/PNP 65В 0.1А 6TSSOP

BCX56

DTC143ECA

Корпус SOT23, Транзистор биполярный NPN, Р=200 мВт, Uкэ.макс. 50 В, Ток коллектора 100 мА, Граничная частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 20, Встроенное Rб 4.7 кОм, Встроенное Rбэ 4.7 кОм, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

DTC114EUA

1N5408

Диод выпрямительный общего применения 1000В 3A

ES3J

Диод импульсный 600В 3А 35нс

BAV70WT

1A7

Диод 1000V 1A

KBU608

Диодный мост 6А 800В

KBP206