YangJie: электронные компоненты

SS10U100PQ

Диод Шоттки 100В 10А

S14

RB521S-40

Корпус SOD523, Диод одиночный, Uобр.макс. 40 В, Iпрям. (сред.) 200 мА, Uпрям. 590 мВ, Iобр. 5 мкА, Монтаж на плату, SMT

PMMT591A

MUR120

MMSZ5241B

E1D

DTC114EE

Корпус SOT523, Транзистор биполярный NPN, Р=150 мВт, Uкэ.макс. 50 В, Ток коллектора 100 мА, Граничная частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 30, Встроенное Rб 10 кОм, Встроенное Rбэ 10 кОм, Примечание Small Signal Bipolar Transistor

DTA124EUA

DTA113ZCA

BZX84B7V5

Корпус SOT23, Напряжение стабилизации 7.5 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 15 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 7.5V V(Z), 2%, 0.35W, Silicon, Unidirectional

BZX84B30

BZX84B18

BZX584C9V1

Корпус SOD523, Напряжение стабилизации 9.1 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 15 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 9.1V V(Z), 6.08%, 0.2W, Silicon, Unidirectional

BZX584C3V3

Корпус SOD523, Напряжение стабилизации 3.3 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 95 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 3.3V V(Z), 6.06%, 0.2W, Silicon, Unidirectional

BZX584C22V

BZX584B5V1

Корпус SOD523, Напряжение стабилизации 5.1 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 60 Ом

BZX584B20V

Корпус SOD523, Напряжение стабилизации 20 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 55 Ом

BZT52C62S

BZT52C4V7S

Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 4.7 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 80 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 4.7V V(Z), 6.38%, 0.2W, Silicon, Unidirectional

BZT52C3V3S

Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 3.3 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 95 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 3.3V V(Z), 6.06%, 0.2W, Silicon, Unidirectional

BZT52C20S

Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 20 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 55 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 20V V(Z), 6%, 0.2W, Silicon, Unidirectional

BZT52C12S

Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 12 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 25 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 12V V(Z), 5.39%, 0.2W, Silicon, Unidirectional

BZT52B75S