YangJie: электронные компоненты

BZT52B20S

BZT52B15

Корпус SOD123, Напряжение стабилизации 15 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 15V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional

BAV23C

Корпус SOT23, Сборка диодная, общий катод, Uобр.макс. 250 В, Iпрям. (сред.) 200 мА, Uпрям. 1 В, Iобр. 100 нА, Время восстановления Диодов 50 нс, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Монтаж на плату, SMT

DTC143ZCA

Корпус SOT23, Транзистор биполярный NPN, Р=200 мВт, Uкэ.макс. 50 В, Ток коллектора 100 мА, Граничная частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 80, Встроенное Rб 4.7 кОм, Встроенное Rбэ 47 кОм, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

DTC114ECA

Биполярный транзистор: NPN; BRT; 50В; 0,1А; 200мВт; SOT23; R1: 10кОм

B10S

Диодный мост 0.5А 1000В

P6KE150A

Диод защитный от перенапряжения - TVS (супрессор) 128В включение 207В ограничение аксиальный

SMF36A

Корпус SOD123FL, Iимп.макс. 3.44 А, Uраб. 36 В, Uогр.(диап.), min 40 В, Uогр.(диап.), max 44.2 В, Iут.при Uраб. 1 мкА, Рпик=200 Вт, Тип супрессора однонаправленный, Uогр.(ном.) 42.1 В, Uимп.макс.58.1 В, Р=400 мВт

SMBJ200CA

MF300K06F2

Сборка диодная, Uобр.макс. 600 В, Iпрям. (сред.) 300 А, Uпрям. 1.15 В, Особенности Module, Common cathode, Iобр. 500 мкА, Время восстановления Диодов 55 нс, Рабочая температура -40 °C...+150 °C, Монтаж под винт

MF200A12F2N

Сборка диодная, Uобр.макс. 1.2 кВ, Iпрям. (сред.) 200 А, Uпрям. 2.3 В, Особенности Module, Common anode, Iобр. 1 мА, Время восстановления Диодов 57 нс, Рабочая температура -40 °C...+150 °C, Монтаж под винт

MB400K02F3

Сборка диодная, общий катод, Uобр.макс. 200 В, Iпрям. (сред.) 200 А, Uпрям. 900 мВ, Особенности Шоттки, Iобр. 5 мА, Рабочая температура -40 °C, Рабочая температура 175 °C, Монтаж под винт

SMAJ20CA

Корпус DO214AC, Iимп.макс. 12.35 А, Uраб. 20 В, Uогр.(диап.), min 22.2 В, Uогр.(диап.), max 24.5 В, 400W, 20V V(RWM), DO-214AC, Iут.при Uраб. 1 мкА, Рпик=400 Вт, Тип супрессора двунаправленный, Uогр.(ном.) 23.35 В, Uимп.макс.32.4 В, Р=1 Вт

SMF18A

Корпус SOD123FL, Iимп.макс. 6.85 А, Uраб. 18 В, Uогр.(диап.), min 20 В, Uогр.(диап.), max 22.1 В, Iут.при Uраб. 1 мкА, Рпик=200 Вт, Тип супрессора однонаправленный, Uогр.(ном.) 21.05 В, Uимп.макс.29.2 В, Р=400 мВт

SMCJ20CA

Корпус DO214AB, Iимп.макс. 46.3 А, Uраб. 20 В, Uогр.(диап.), min 22.2 В, Uогр.(диап.), max 24.5 В, 1500W, 20V V(RWM), DO-214AB, Iут.при Uраб. 5 мкА, Рпик=1.5 кВт, Тип супрессора двунаправленный, Uогр.(ном.) 23.35 В, Uимп.макс.32.4 В, Р=6.5 Вт

SMBJ33CA

SMAJ7.0CA

SMAJ17CA

P4SMA10CA

GBU408

Корпус GBU, Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 800 В, Uпрям. 1 В, Iпрям. (средн) 4 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, 4A, 800V V(RRM), Рабочая температура -55 °C...+150 °C

P6SMB33A

P4SMA12A

Корпус DO214AC, Iимп.макс. 23.95 А, Uраб. 10.2 В, Uогр.(диап.), min 11.4 В, Uогр.(диап.), max 12.6 В, 400W, 10.2V V(RWM), DO-214AC, Iут.при Uраб. 5 мкА, Рпик=400 Вт, Тип супрессора однонаправленный, Uогр.(ном.) 12 В, Uимп.макс.16.7 В, Р=1 Вт

SMAJ40A

SMAJ180A