YangJie: электронные компоненты

ESD1CAN24T2Q

ESDSLC3V3D3BS

Корпус SOD323, Iимп.макс. 7 А, Uраб. 3.3 В, Uогр.(диап.), min 6 В, Iут.при Uраб. 0.05 мкА, Рпик=77 Вт, Тип супрессора двунаправленный, Uогр.(ном.) 8 В, Паразитная емкость перехода 1пФ, Uимп.макс.11 В

ESDSLC5V0LB

Корпус DFN1006D2, Iимп.макс. 9 А, Uраб. 5 В, Uогр.(диап.), min 6 В, 77W, 5V V(RWM), Iут.при Uраб. 0.05 мкА, Рпик=77 Вт, Тип супрессора двунаправленный, Uогр.(ном.) 8 В, Паразитная емкость перехода 0.8пФ, Uимп.макс.11 В

MT330CB16T3

SL510F

Корпус DO221AC, Диод одиночный, Uобр.макс. 100 В, Iпрям. (сред.) 5 А, Uпрям. 650 мВ, Особенности Шоттки, Iобр. 100 мкА, Емкость перехода 675пФ, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Монтаж на плату, SMT

YJG40G10A

Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 100 В, Iс ном. при 25°C 40 А, Rот.(мин) 14 мОм, Rот.при Uз(ном), min 14 мОм, Rот.при Uз(ном), max 17 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 16 нКл, Р=60 Вт, Сз=1 051пФ

YJD15N10A

Транзистор N-MOSFET, TRENCH POWER MV, полевой, 100В, 10,5А, TO252

YJS07NP03B

BCX53-16

Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 1.0 А, 1.3 Вт

MG100HF12LEC1

Модуль IGBT 1200В 100А

DGF15N60CTL

BZT52C3V9S

BC857CT

Корпус SOT523, Транзистор биполярный PNP, Р=150 мВт, Uкэ.макс. -45 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии -0.65 В, Ток коллектора -0.1 А, Граничная частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 420, Коэффициент усиления по току, max 800

BAT54WT

UMH11N

DTA143ZCA

Транзистор: PNP

UMH9N

Корпус SOT363, Транзистор биполярный NPN/NPN, Р=150 мВт, Uкэ.макс. 50 В, Ток коллектора 100 мА, Граничная частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 68, Встроенное сопротивление в базовой цепи 10 кОм, Встроенное сопротивление в цепи БЭ 47 кОм

DTC143XCA

Корпус SOT23, Транзистор биполярный NPN, Р=200 мВт, Uкэ.макс. 50 В, Ток коллектора 100 мА, Граничная частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 30, Встроенное Rб 4.7 кОм, Встроенное Rбэ 9.87 кОм, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

DTC123JUA

Корпус SOT323, Транзистор биполярный NPN, Р=200 мВт, Uкэ.макс. 50 В, Ток коллектора 100 мА, Граничная частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 80, Встроенное сопротивление в базовой цепи 2.2 кОм, Встроенное сопротивление в цепи БЭ 46.2 кОм

BZT52C9V1S

Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 9.1 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 15 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 9.1V V(Z), 6.08%, 0.2W, Silicon, Unidirectional

SMA5922A

DTC144EUA

DTC143XUA

Корпус SOT323, Транзистор биполярный NPN, Р=200 мВт, Uкэ.макс. 50 В, Ток коллектора 100 мА, Граничная частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 30, Встроенное сопротивление в базовой цепи 4.7 кОм, Встроенное сопротивление в цепи БЭ 9.87 кОм

DTA143ZUA