YangJie: электронные компоненты

D2UB60A

Корпус D3K, Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 600 В, Uпрям. 1 В, Iпрям. (средн) 2 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, 2A, 600V V(RRM),Package D3K, Рабочая температура -55 °C...+150 °C

GBP210A

Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 1 кВ, Uпрям. 1 В, Iпрям. (средн) 2 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2A, 1000V V(RRM), Silicon, Рабочая температура -55 °C...+150 °C

D6UB60

Корпус D3K, Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 600 В, Uпрям. 1 В, Iпрям. (средн) 6 А, Примечание Bridge Rectifier, Package D3K, 6A, 600V, Рабочая температура -55 °C...+150 °C

GBU810A

Корпус GBU, Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 1 кВ, Uпрям. 1 В, Iпрям. (средн) 8 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 3.2A, 1000V V(RRM), Silicon, Рабочая температура -55 °C...+150 °C

GBP310A

Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 1 кВ, Uпрям. 1 В, Iпрям. (средн) 3 А, Примечание Bridge Rectifier, 1 Phase, 3A, 1000V, Рабочая температура -55 °C...+150 °C

GBP408

Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 800 В, Uпрям. 1 В, Iпрям. (средн) 4 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 4A, 800V V(RRM), Silicon, Рабочая температура -55 °C...+150 °C

D3UB80

Корпус D3K, Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 800 В, Uпрям. 1 В, Iпрям. (средн) 3 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, Package D3K, 3A, 800V V(RRM), Silicon, Рабочая температура -55 °C...+150 °C

MBL8S

Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 800 В, Uпрям. 1 В, Iпрям. (средн) 500 мА, Примечание Bridge Rectifier, 1 Phase, 0,5A, 800V, Рабочая температура -55 °C...+150 °C

YBSM4010

Однофазный выпрямительный мост, Urmax 1кВ, If 4А, Ifsm 120А

HDL10S

Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 1 кВ, Uпрям. 1 В, Iпрям. (средн) 500 мА, Примечание Bridge Rectifier, 1 Phase, 0,5A, 1000V, Рабочая температура -55 °C...+150 °C

MB10SA

MBL6SA

Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 600 В, Uпрям. 1 В, Iпрям. (средн) 1 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 0.8A, 600V V(RRM), Silicon, Рабочая температура -55 °C...+150 °C

MBL6S

DF25NA80

D4UB100A

Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 1 кВ, Uпрям. 1 В, Iпрям. (средн) 4 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, Package D3K, 4A, 1000V V(RRM), Silicon, Рабочая температура -55 °C...+150 °C

BR2506W

Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 600 В, Uпрям. 1.1 В, Iпрям. (средн) 25 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, 25A, 600V V(RRM),Case BR-W, Silicon, Рабочая температура -55 °C...+150 °C

GBPC2506W

KBPC1506W

Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 600 В, Uпрям. 1.1 В, Iпрям. (средн) 15 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, 15A, 600V V(RRM), Silicon, Рабочая температура -55 °C, Рабочая температура 125 °C

GBPC5008

Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 800 В, Uпрям. 1.1 В, Iпрям. (средн) 50 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, 50A, 800V V(RRM), Рабочая температура -55 °C...+150 °C

KBPC2506W

Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 600 В, Uпрям. 1.1 В, Iпрям. (средн) 25 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, 25A, 600V V(RRM), Silicon, Рабочая температура -55 °C, Рабочая температура 125 °C

KBPC1508W

Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 800 В, Uпрям. 1.1 В, Iпрям. (средн) 15 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, 15A, 800V V(RRM), Silicon, Рабочая температура -55 °C, Рабочая температура 125 °C

GBU1010A

Корпус GBU, Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 1 кВ, Uпрям. 1 В, Iпрям. (средн) 10 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 3.6A, 1000V V(RRM), Silicon, Рабочая температура -55 °C...+150 °C

YBS3008

Однофазный выпрямительный мост, Urmax 800В, If 3А, Ifsm 110А

ESD3V3D3

Корпус SOD323, Iимп.макс. 22 А, Uраб. 3.3 В, Uогр.(диап.), min 4.5 В, Uогр.(диап.), max 6.5 В, 3.3V V(RWM), Iут.при Uраб. 0.5 мкА, Рпик=374 Вт, Тип супрессора однонаправленный, Uогр.(ном.) 5.5 В, Паразитная емкость перехода 400пФ, Uимп.макс.17 В