Производитель
Найдено 2 329 товаров
Под заказ
Корпус SOT323, Транзистор MOSFET Р-кан., Uс-и макс. -20 В, Iс ном. при 25°C -2 А, Rот.(мин) 100 мОм, Rот.при Uз(ном), min 100 мОм, Rот.при Uз(ном), max 175 мОм, диап. Uз мин. -1.8 В, диап. Uз макс. -4.5 В, Uз макс. 10 В, Qз 4.5 нКл, Р=250 мВт, Сз=327пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Корпус DFN83X3, Транзистор MOSFET Р-кан., Uс-и макс. -20 В, Iс ном. при 25°C -55 А, Rот.(мин) 6.5 мОм, Rот.при Uз(ном), min 6.5 мОм, Rот.при Uз(ном), max 10.3 мОм, диап. Uз мин. -1.8 В, диап. Uз макс. -4.5 В, Uз макс. 10 В, Qз 149нКл, Р=38 Вт, Сз=6 358пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Транзистор MOSFET 2N-канальный, Uс-и макс. 20 В, Iс ном. при 25°C 7 А, Rот.(мин) 13 мОм, Rот.при Uз(ном), min 13 мОм, Rот.при Uз(ном), max 21 мОм, диап. Uз мин. 1.8 В, диап. Uз макс. 4.5 В, Uз макс. 10 В, Qз 11.05 нКл, Р=1.5 Вт, Сз=888пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Транзистор P-MOSFET, TRENCH POWER LV, полевой, -15В, -3А, 1Вт
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Под заказ
Корпус SOIC8, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 60 В, Iс ном. при 25°C 8.2 А, Rот.(мин) 14.5 мОм, Rот.при Uз(ном), min 14.5 мОм, Rот.при Uз(ном), max 17 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 51 нКл, Р=3.1 Вт, Сз=2 027пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 20 В, Iс ном. при 25°C 7.6 А, Rот.(мин) 12 мОм, Rот.при Uз(ном), min 12 мОм, Rот.при Uз(ном), max 20.5 мОм, диап. Uз мин. 1.8 В, диап. Uз макс. 4.5 В, Uз макс. 10 В, Qз 11.05 нКл, Р=1.5 Вт, Сз=888пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Корпус SOIC8, Транзистор MOSFET Р-кан., Uс-и макс. -30 В, Iс ном. при 25°C -10 А, Rот.(мин) 14 мОм, Rот.при Uз(ном), min 14 мОм, Rот.при Uз(ном), max 28 мОм, Qз 24 нКл, Р=2.5 Вт
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Корпус PDFN8L5X6, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 60 В, Iс ном. при 25°C 80 А, Rот.(мин) 3 мОм, Rот.при Uз(ном), min 3 мОм, Rот.при Uз(ном), max 3.9 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 66 нКл, Р=96 Вт, Сз=4 000пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Корпус DFN2020MD6, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 20 В, Iс ном. при 25°C 13 А, Rот.(мин) 7.8 мОм, Rот.при Uз(ном), min 7.8 мОм, Rот.при Uз(ном), max 12 мОм, диап. Uз мин. 1.8 В, диап. Uз макс. 4.5 В, Uз макс. 10 В, Qз 11.05 нКл, Р=2.2 Вт, Сз=888пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Корпус SOIC8, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 30 В, Iс ном. при 25°C 18 А, Rот.(мин) 4.5 мОм, Rот.при Uз(ном), min 4.5 мОм, Rот.при Uз(ном), max 6.6 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 46.3 нКл, Р=3 Вт, Сз=2 191пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Под заказ
Транзистор MOSFET Р-кан., Uс-и макс. -60 В, Iс ном. при 25°C -22.5 А, Rот.(мин) 35 мОм, Rот.при Uз(ном), min 35 мОм, Rот.при Uз(ном), max 45 мОм, диап. Uз мин. -4.5 В, диап. Uз макс. -10 В, Uз макс. 20 В, Qз 18.7 нКл, Р=43 Вт, Сз=1 100пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Транзистор MOSFET Р-кан., Uс-и макс. -20 В, Iс ном. при 25°C -5.4 А, Rот.(мин) 27 мОм, Rот.при Uз(ном), min 27 мОм, Rот.при Uз(ном), max 48 мОм, диап. Uз мин. -1.8 В, диап. Uз макс. -4.5 В, Uз макс. 10 В, Qз 10.98 нКл, Р=1.2 Вт, Сз=1 010пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Под заказ
Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 40 В, Iс ном. при 25°C 130 А, Rот.(мин) 1.45 мОм, Rот.при Uз(ном), min 1.45 мОм, Rот.при Uз(ном), max 1.9 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 132 нКл, Р=115 Вт, 0.003ohm, Сз=7 100пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Корпус SOIC8, Транзистор MOSFET Р-кан., Uс-и макс. -30 В, Iс ном. при 25°C -18 А, Rот.(мин) 5 мОм, Rот.при Uз(ном), min 5 мОм, Rот.при Uз(ном), max 6.9 мОм, диап. Uз мин. -4.5 В, диап. Uз макс. -10 В, Uз макс. 25 В, Qз 111.7 нКл, Р=3.4 Вт, Сз=6 464пФ
Одиночные MOSFET транзисторыТранзистор MOSFET Р-кан., Uс-и макс. -20 В, Iс ном. при 25°C -6.2 А, Rот.(мин) 29 мОм, Rот.при Uз(ном), min 29 мОм, Rот.при Uз(ном), max 55 мОм, диап. Uз мин. -1.8 В, диап. Uз макс. -4.5 В, Uз макс. 12 В, Qз 10.98 нКл, Р=2.2 Вт, Сз=1 010пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Под заказ
Корпус PDFN568, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 40 В, Iс ном. при 25°C 100 А, Rот.(мин) 2.8 мОм, Rот.при Uз(ном), min 2.8 мОм, Rот.при Uз(ном), max 4 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 102 нКл, Р=83 Вт, Сз=4 645пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 100 В, Iс ном. при 25°C 60 А, Rот.(мин) 7.2 мОм, Rот.при Uз(ном), min 7.2 мОм, диап. Uз мин. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 36 нКл, Р=88 Вт, Сз=2 431пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 30 В, Iс ном. при 25°C 150 А, Rот.(мин) 1.58 мОм, Rот.при Uз(ном), min 1.58 мОм, Rот.при Uз(ном), max 2.6 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 92.7 нКл, Р=69 Вт, Сз=4 498пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Транзистор MOSFET 2N-канальный, Uс-и макс. 30 В, Iс ном. при 25°C 30 А, Rот.(мин) 7.5 мОм, Rот.при Uз(ном), min 7.5 мОм, Rот.при Uз(ном), max 11.5 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 23.6 нКл, Р=21 Вт, Сз=1 015пФ
Одиночные MOSFET транзисторы