Под заказ
Производитель
YangJie: электронные компоненты
Найдено 2 329 товаров
Разделы каталога
33
Под заказ
Под заказ
BR3508
Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 800 В, Uпрям. 1.1 В, Iпрям. (средн) 35 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, 35A, 800V V(RRM), Case BR, Silicon, Рабочая температура -55 °C...+150 °C
Выпрямительные мосты
Под заказ
SKBPC2506
Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 600 В, Uпрям. 1.26 В, Iпрям. (средн) 25 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, 25A, 600V V(RRM), Silicon, Рабочая температура -55 °C...+150 °C
Выпрямительные мосты
Под заказ
MT3516A
Мост диодный трехфазный, Uобр.макс. 1.6 кВ, Uпрям. 1.2 В, Iпрям. (средн) 35 А, Примечание Bridge Rectifier, 3 Phase, 35A, 1600V, Рабочая температура -55 °C...+150 °C
Тиристорные модули
Под заказ
GBJ1006
Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 600 В, Uпрям. 1 В, Iпрям. (средн) 10 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 3.5A, 600V V(RRM), Silicon, Рабочая температура -55 °C...+150 °C
Выпрямительные мосты
Под заказ
Под заказ
KBL610
Корпус KBL, Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 1 кВ, Uпрям. 1.05 В, Iпрям. (средн) 6 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, 6A, 1000V V(RRM), Рабочая температура -55 °C...+150 °C
Выпрямительные мосты
Под заказ
GBJ2506
Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 600 В, Uпрям. 1.1 В, Iпрям. (средн) 25 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 3.5A, 600V V(RRM), Silicon, Рабочая температура -55 °C...+150 °C
Выпрямительные мосты
Под заказ
GBJ2510A
Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 1 кВ, Uпрям. 1 В, Iпрям. (средн) 25 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 3.5A, 1000V V(RRM), Silicon, Рабочая температура -55 °C...+150 °C
Выпрямительные мосты
Под заказ
D25JA100
Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 1 кВ, Uпрям. 1 В, Iпрям. (средн) 25 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, 25A, 1000V V(RRM), Silicon, Рабочая температура -55 °C...+150 °C
Выпрямительные мосты
Под заказ
BZX584B16V
Корпус SOD523, Напряжение стабилизации 16 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 40 Ом
Одиночные стабилитроны
Под заказ
BZX584B24V
Корпус SOD523, Напряжение стабилизации 24 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 70 Ом
Одиночные стабилитроны
Под заказ
BZX84B11
Корпус SOT23, Напряжение стабилизации 11 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 20 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 11V V(Z), 2%, 0.35W, Silicon, Unidirectional
Одиночные стабилитроны
Под заказ
BZX584B33V
Корпус SOD523, Напряжение стабилизации 33 В, Ток стабилизации (макс) 2 мА, Импеданс (макс) 80 Ом
Одиночные стабилитроны
Под заказ
BZX584C43V
Корпус SOD523, Напряжение стабилизации 43 В, Ток стабилизации (макс) 2 мА, Импеданс (макс) 150 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 43V V(Z), 6.98%, 0.2W, Silicon, Unidirectional
Одиночные стабилитроны
Под заказ
BZX584C24V
Корпус SOD523, Напряжение стабилизации 24 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 70 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 24V V(Z), 5.79%, 0.2W, Silicon, Unidirectional
Одиночные стабилитроны
Под заказ
BZT52B33S
Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 33 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 80 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 33V V(Z), 2.06%, 0.2W, Silicon, Unidirectional
Одиночные стабилитроны
Под заказ
BZX84C30
Корпус SOT23, Напряжение стабилизации 30 В, Ток стабилизации (макс) 2 мА, Импеданс (макс) 80 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 30V V(Z), 6.67%, 0.35W, Silicon, Unidirectional
Одиночные стабилитроны
Под заказ
BZT52C18Q
Корпус SOD123, Напряжение стабилизации 18 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 45 Ом
Одиночные стабилитроны
Под заказ
BZT52C56S
Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 56 В, Ток стабилизации (макс) 2 мА, Импеданс (макс) 200 Ом
Одиночные стабилитроны
Под заказ
BZX84C10Q
Корпус SOT23, Напряжение стабилизации 10 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 20 Ом
Одиночные стабилитроны
Под заказ
BZX84C2V7
Корпус SOT23, Напряжение стабилизации 2.7 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 100 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 2.7V V(Z), 7.41%, 0.35W, Silicon, Unidirectional
Одиночные стабилитроны
Под заказ
BZT52C75S
Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 75 В, Ток стабилизации (макс) 2 мА, Импеданс (макс) 255 Ом
Одиночные стабилитроны
Под заказ
BZX84C7V5W
Корпус SOT323, Напряжение стабилизации 7.5 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 15 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 7.5V V(Z), 6.04%, 0.2W, Silicon, Unidirectional
Одиночные стабилитроны