Производитель
Найдено 2 329 товаров
Под заказ
Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 30 В, Iс ном. при 25°C 50 А, Rот.(мин) 3.9 мОм, Rот.при Uз(ном), min 3.9 мОм, Rот.при Uз(ном), max 6 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 46.3 нКл, Р=25 Вт, Сз=2 191пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Корпус SOT323, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 60 В, Iс ном. при 25°C 300 мА, Rот.(мин) 1.9 Ом, Rот.при Uз(ном), min 1.9 Ом, Rот.при Uз(ном), max 2 Ом, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 1.65 нКл, Р=300 мВт, Сз=27пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Корпус DO214AA, Диод одиночный, Uобр.макс. 600 В, Iпрям. (сред.) 3 А, Uпрям. 1.15 В, Iобр. 5 мкА, Емкость перехода 25пФ, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Монтаж на плату, SMT
Одиночные диоды
Под заказ
Корпус DO214AA, Iимп.макс. 4.96 А, Uраб. 75 В, Uогр.(диап.), min 83.3 В, Uогр.(диап.), max 92.1 В, 75V V(RWM), Unidirectional, Iут.при Uраб. 1 мкА, Рпик=600 Вт, Тип супрессора однонаправленный, Uогр.(ном.) 87.7 В, Uимп.макс.121 В, Р=5 Вт
Диоды защиты от перенапряжения (TVS)
Под заказ
Под заказ
Корпус SOT23, Транзистор биполярный PNP, Р=300 мВт, Uкэ.макс. -160 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии -0.5 В, Ток коллектора -0.6 А, Граничная частота 300 МГц, Коэффициент усиления по току, min 100, Коэффициент усиления по току, max 300
Одиночные биполярные транзисторы
Под заказ
Под заказ
Транзистор биполярный NPN, Р=300 мВт, Uкэ.макс. 160 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 200 мВ, Ток коллектора 600 мА, Граничная частота 300 МГц, Коэффициент усиления по току, min 100, Коэффициент усиления по току, max 300
Одиночные биполярные транзисторы
Под заказ
Корпус SOT23, Транзистор биполярный NPN, Р=200 мВт, Uкэ.макс. 50 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 300 мВ, Ток коллектора 100 мА, Граничная частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 200, Коэффициент усиления по току, max 400
Одиночные биполярные транзисторы
Под заказ
Корпус SOT23, Транзистор биполярный PNP, Р=300 мВт, Напряжение КЭ максимальное -80 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии -0.25 В, Ток коллектора -0.5 А, Граничная рабочая частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 100
Одиночные биполярные транзисторы
Под заказ
Корпус SOT323, Транзистор биполярный PNP, Р=200 мВт, Uкэ.макс. -45 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии -0.65 В, Ток коллектора -0.1 А, Граничная частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 420, Коэффициент усиления по току, max 800
Одиночные биполярные транзисторы
Под заказ
Под заказ
Транзистор MOSFET 2N-канальный, Uс-и макс. 40 В, Iс ном. при 25°C 25 А, Rот.(мин) 14.5 мОм, Rот.при Uз(ном), min 14.5 мОм, Rот.при Uз(ном), max 18 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 23.6 нКл, Р=21 Вт, Сз=917пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Корпус SOIC8, Транзистор MOSFET 2N-канальный, Uс-и макс. 30 В, Iс ном. при 25°C 8.5 А, Rот.(мин) 14 мОм, Rот.при Uз(ном), min 14 мОм, Rот.при Uз(ном), max 23 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 12.22 нКл, Р=2.5 Вт, Сз=526пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 60 В, Iс ном. при 25°C 20 А, Rот.(мин) 34 мОм, Rот.при Uз(ном), min 34 мОм, Rот.при Uз(ном), max 36 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 26 нКл, Р=21 Вт, 0.043ohm, Сз=1 018пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Корпус DFN30308, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 30 В, Iс ном. при 25°C 30 А, Rот.(мин) 5.8 мОм, Rот.при Uз(ном), min 5.8 мОм, Rот.при Uз(ном), max 10 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 23.6 нКл, Р=17 Вт, Сз=1 015пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 60 В, Iс ном. при 25°C 95 А, Rот.(мин) 2.25 мОм, Rот.при Uз(ном), min 2.25 мОм, диап. Uз мин. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 93 нКл, Р=120 Вт, Сз=5 950пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Транзистор MOSFET 2N-канальный, Uс-и макс. 100 В, Iс ном. при 25°C 20 А, Rот.(мин) 17 мОм, Rот.при Uз(ном), min 17 мОм, Rот.при Uз(ном), max 21 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 16 нКл, Р=17 Вт, Сз=1 051пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 60 В, Iс ном. при 25°C 30 А, Rот.(мин) 16 мОм, Rот.при Uз(ном), min 16 мОм, Rот.при Uз(ном), max 17.5 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 51 нКл, Р=45 Вт, 0.02ohm, Сз=2 027пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ