Производитель
YangJie: электронные компоненты
Найдено 2 329 товаров
Разделы каталога
33
Под заказ
KBPC608
Корпус KBPC, Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 800 В, Uпрям. 1.1 В, Iпрям. (средн) 6 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, 6A, 800V V(RRM), Silicon, Рабочая температура -55 °C...+150 °C
Выпрямительные мосты
Под заказ
MMBTA42
Корпус SOT23, Транзистор биполярный NPN, Р=350 мВт, Uкэ.макс. 300 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 500 мВ, Ток коллектора 20 мА, Граничная частота 50 МГц, Коэффициент усиления по току, min 40, Коэффициент усиления по току, max 300
Одиночные биполярные транзисторы
Под заказ
MMBT2907AQ
Транзистор: PNP, биполярный, 60В, 0,6А, 300мВт, SOT23
Одиночные биполярные транзисторы
Под заказ
YJL03N06A
Транзистор N-MOSFET 60В 3А [SOT-23-3]
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
HER107G
Корпус DO41, Диод одиночный, Uобр.макс. 800 В, Iпрям. (сред.) 1 А, Uпрям. 1.7 В, Iобр. 2.5 мкА, Время восстановления Диодов 75 нс, Емкость перехода 8пФ, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Монтаж на плату, THT
Одиночные диоды
Под заказ
1N4007G
Корпус DO41, Диод одиночный, Uобр.макс. 1 кВ, Iпрям. (сред.) 1 А, Uпрям. 1.1 В, Особенности General Purpose, Iобр. 2.5 мкА, Емкость перехода 8пФ, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Монтаж на плату, THT
Одиночные диоды
Под заказ
BC807-40W
Корпус SOT323, Транзистор биполярный PNP, Р=200 мВт, Uкэ.макс. -45 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии -0.7 В, Ток коллектора -0.5 А, Граничная частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 250, Коэффициент усиления по току, max 600
Одиночные биполярные транзисторы
Под заказ
MMBT4401Q
Транзистор: NPN, биполярный, 40В, 0,6А, 300мВт, SOT23
Одиночные биполярные транзисторы
Под заказ
MBR10150CD
Диод: выпрямительный Шоттки, SMD, 150В, 2x5А, TO252
Сборки диодов Шоттки
Под заказ
Под заказ
GBU608
Корпус GBU, Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 800 В, Uпрям. 1 В, Iпрям. (средн) 6 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2.8A, 800V V(RRM), Silicon, Рабочая температура -55 °C...+150 °C
Выпрямительные мосты
Под заказ
Под заказ
GBP208
Диодный мост: однофазный, Urmax: 800В, If: 2А, Ifsm: 60А, плоские
Выпрямительные мосты
Под заказ
GBU2006
Диодный мост: однофазный, Urmax: 600В, If: 20А, Ifsm: 220А, GBU, THT
Выпрямительные мосты
Под заказ
GBU1506
Корпус GBU, Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 600 В, Uпрям. 1.1 В, Iпрям. (средн) 15 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, 15A, 600V V(RRM), Рабочая температура -55 °C...+150 °C
Выпрямительные мосты
Под заказ
GBU2510
Корпус GBU, Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 1 кВ, Uпрям. 1.1 В, Iпрям. (средн) 25 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, 25A, 1000V V(RRM), Silicon, Рабочая температура -55 °C...+150 °C
Выпрямительные мосты
Под заказ
GBU2010
Диодный мост: однофазный, Urmax: 1кВ, If: 20А, Ifsm: 220А, плоские
Выпрямительные мосты
Под заказ
GBU1006
Корпус GBU, Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 600 В, Uпрям. 1.1 В, Iпрям. (средн) 10 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 3.2A, 600V V(RRM), Silicon, Рабочая температура -55 °C...+150 °C
Выпрямительные мосты