Производитель
Найдено 2 329 товаров
Под заказ
Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 30 В, Iс ном. при 25°C 5.6 А, Rот.(мин) 21 мОм, Rот.при Uз(ном), min 21 мОм, Rот.при Uз(ном), max 27 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 12.22 нКл, Р=1.2 Вт, Сз=526пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Корпус DO214AC, Диод одиночный, Uобр.макс. 40 В, Iпрям. (сред.) 5 А, Uпрям. 600 мВ, Особенности Шоттки, Iобр. 500 мкА, Емкость перехода 250пФ, Рабочая температура -55 °C, Рабочая температура 125 °C, Монтаж на плату, SMT
Одиночные диоды Шоттки
Под заказ
Транзистор P-MOSFET x2, TRENCH POWER LВ, полевой, -20В, -3А
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Корпус DO214AA, Iимп.макс. 57.1 А, Uраб. 5.8 В, Uогр.(диап.), min 6.45 В, Uогр.(диап.), max 7.14 В, Iут.при Uраб. 2000 мкА, Рпик=600 Вт, Тип супрессора двунаправленный, Uогр.(ном.) 6.795 В, Uимп.макс.10.5 В
Диоды защиты от перенапряжения (TVS)
Под заказ
Корпус DO214AA, Iимп.макс. 58.25 А, Uраб. 6 В, Uогр.(диап.), min 6.67 В, Uогр.(диап.), max 7.37 В, 6V V(RWM), Bidirectional, Iут.при Uраб. 1600 мкА, Рпик=600 Вт, Тип супрессора двунаправленный, Uогр.(ном.) 7.02 В, Uимп.макс.10.3 В, Р=5 Вт
Диоды защиты от перенапряжения (TVS)
Под заказ
Корпус SMA, Диод одиночный, Uобр.макс. 60 В, Iпрям. (сред.) 3 А, Uпрям. 700 мВ, Особенности Шоттки, Iобр. 500 мкА, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Монтаж на плату, SMT
Одиночные диоды Шоттки
Под заказ
Корпус DO41, Диод одиночный, Uобр.макс. 1 кВ, Iпрям. (сред.) 1 А, Uпрям. 1.2 В, Время восстановления Диодов 500 нс, Рабочая температура -55 °C, Рабочая температура 125 °C, Монтаж на плату, THT
Одиночные диоды
Под заказ
Корпус DO214AA, Iимп.макс. 30.15 А, Uраб. 12 В, Uогр.(диап.), min 13.3 В, Uогр.(диап.), max 14.7 В, 12V V(RWM), Bidirectional, Iут.при Uраб. 5 мкА, Рпик=600 Вт, Тип супрессора двунаправленный, Uогр.(ном.) 14 В, Uимп.макс.19.9 В, Р=5 Вт
Диоды защиты от перенапряжения (TVS)
Под заказ
Корпус SOD123, Напряжение стабилизации 16 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 40 Ом
Одиночные стабилитроны
Под заказ
Под заказ
Корпус SOT223, Транзистор биполярный NPN, Р=1.5 Вт, Uкэ.макс. 80 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 500 мВ, Ток коллектора 1 А, Граничная частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 100, Коэффициент усиления по току, max 250
Одиночные биполярные транзисторы
Под заказ
Корпус SOT323, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 60 В, Iс ном. при 25°C 300 мА, Rот.(мин) 1.9 Ом, Rот.при Uз(ном), min 1.9 Ом, Rот.при Uз(ном), max 2 Ом, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 1.65 нКл, Р=300 мВт, Сз=27пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 5.1 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 60 Ом
Одиночные стабилитроны
Под заказ
Корпус DO214AC, Диод одиночный, Uобр.макс. 1 кВ, Iпрям. (сред.) 1 А, Uпрям. 1.1 В, Особенности General Purpose, Iобр. 5 мкА, Емкость перехода 12пФ, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Монтаж на плату
Одиночные диоды
Под заказ
Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 60 В, Iс ном. при 25°C 5 А, Rот.(мин) 35 мОм, Rот.при Uз(ном), min 35 мОм, Rот.при Uз(ном), max 39 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 26.4 нКл, Р=2.5 Вт, Сз=1 018пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Корпус SOD523, Диод одиночный, Uобр.макс. 100 В, Iпрям. (сред.) 150 мА, Uпрям. 1.25 В, Особенности быстродействующий, Iобр. 1 мкА, Время восстановления Диодов 4 нс, Емкость перехода 4пФ, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Монтаж на плату, SMT
Одиночные диоды
Под заказ
Корпус SOD123, Напряжение стабилизации 15 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 30 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 15V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional
Одиночные стабилитроны
Под заказ
Корпус KBP, Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 1 кВ, Uпрям. 1.1 В, Iпрям. (средн) 3 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, 3A, 1000V V(RRM), Рабочая температура -55 °C...+150 °C
Выпрямительные мосты
Под заказ
Корпус DO214AC, Диод одиночный, Uобр.макс. 100 В, Iпрям. (сред.) 3 А, Uпрям. 850 мВ, Особенности Шоттки, Iобр. 100 мкА, Емкость перехода 150пФ, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Монтаж на плату, SMT
Одиночные диоды Шоттки
Под заказ
Транзистор MOSFET Р-кан., Uс-и макс. -30 В, Iс ном. при 25°C -4.4 А, Rот.(мин) 45.5 мОм, Rот.при Uз(ном), min 45.5 мОм, Rот.при Uз(ном), max 64 мОм, диап. Uз мин. -2.5 В, диап. Uз макс. -10 В, Uз макс. 12 В, Qз 18 нКл, Р=-1.2 Вт, Сз=1 040пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 1 кВ, Uпрям. 1 В, Iпрям. (средн) 1 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 0.8A, 1000V V(RRM), Silicon, Рабочая температура -55 °C...+150 °C
Выпрямительные мосты
Под заказ
Однофазный выпрямительный мост, Urmax 1кВ, If 3А, Ifsm 110А, YBS
Выпрямительные мосты