Под заказ
Производитель
YangJie: электронные компоненты
Найдено 2 329 товаров
Разделы каталога
33
Под заказ
Под заказ
KBU1006
Корпус KBU, Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 600 В, Uпрям. 1.1 В, Iпрям. (средн) 10 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, 10A, 600V V(RRM), Silicon, Рабочая температура -55 °C...+150 °C
Выпрямительные мосты
Под заказ
YJQ15GP10A
Транзистор MOSFET Р-кан., Uс-и макс. -100 В, Iс ном. при 25°C -15 А, Rот.(мин) 83 мОм, Rот.при Uз(ном), min 83 мОм, Rот.при Uз(ном), max 95 мОм, диап. Uз мин. -4.5 В, диап. Uз макс. -10 В, Uз макс. 20 В, Qз 20.1 нКл, Р=43 Вт, Сз=1 051пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
SKBPC5008
Трехфазный диодный мост, Urmax 800В, If 50А, Ifsm 500А, SKBPC
Выпрямительные мосты
Под заказ
GBJ1510
Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 1 кВ, Uпрям. 1.1 В, Iпрям. (средн) 15 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 3.5A, 1000V V(RRM), Silicon, Рабочая температура -55 °C...+150 °C
Выпрямительные мосты
Под заказ
GBJ3506
Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 600 В, Uпрям. 1.1 В, Iпрям. (средн) 35 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 35A, 600V V(RRM), Silicon, Рабочая температура -55 °C...+150 °C
Выпрямительные мосты
Под заказ
GBJ2501
Однофазный выпрямительный мост, Urmax 100В, If 25А, Ifsm 320А
Выпрямительные мосты
Под заказ
MUR3060P
Диод: выпрямительный; THT; 600В; 30А; туба; Ifsm: 300А; TO247AC; 50нс
Диодные сборки
Под заказ
Под заказ
YJQ4666B
Транзистор P-MOSFET, TRENCH POWER LV, полевой, -16В, -5,6А, 2,2Вт
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Под заказ
MUR1660
Корпус TO220AC, Диод одиночный, Uобр.макс. 600 В, Iпрям. (сред.) 16 А, Uпрям. 1.6 В, Особенности Ultra Fast, Iобр. 10 мкА, Время восстановления Диодов 35 нс, Емкость перехода 98пФ, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Монтаж на плату, THT
Диодные сборки
Под заказ
Под заказ
YJH03N10A
Транзистор N-MOSFET, TRENCH POWER MВ, полевой, 100В, 2,4А, 4Вт
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Под заказ
YJD60N04A
Транзистор N-MOSFET, TRENCH POWER LV, полевой, 40В, 42А, Idm 200А
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
YJL2300A
Транзистор N-MOSFET, TRENCH POWER LV, полевой, 20В, 3,6А, Idm 18А
Одиночные MOSFET транзисторыYJD20N06A
Транзистор N-MOSFET 60В 20А 17Вт [TO-252.]
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
FR105
Корпус DO41, Диод одиночный, Uобр.макс. 600 В, Iпрям. (сред.) 1 А, Uпрям. 1.2 В, Время восстановления Диодов 250 нс, Рабочая температура -55 °C, Рабочая температура 125 °C, Монтаж на плату, THT
Одиночные диоды
Под заказ
Под заказ
YJM04N10A
Транзистор N-MOSFET, TRENCH POWER MV, полевой, 100В, 3,2А, 2,5Вт
Одиночные MOSFET транзисторы