Под заказ
BZT52B8V2
Корпус SOD123, Напряжение стабилизации 8.2 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 8.2V V(Z), 1.95%, 0.5W, Silicon, Unidirectional
Одиночные стабилитроныПроизводитель
Найдено 2 329 товаров
Под заказ
Корпус SOD123, Напряжение стабилизации 8.2 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 8.2V V(Z), 1.95%, 0.5W, Silicon, Unidirectional
Одиночные стабилитроны
Под заказ
Под заказ
Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 600 В, Uпрям. 1.1 В, Iпрям. (средн) 50 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, 50A, 600V V(RRM),Case BR, Silicon, Рабочая температура -55 °C...+150 °C
Выпрямительные мосты
Под заказ
Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 1 кВ, Uпрям. 1.1 В, Iпрям. (средн) 35 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, 35A, 1000V V(RRM), Case BR-L, Silicon, Рабочая температура -55 °C, Рабочая температура 125 °C
Выпрямительные мосты
Под заказ
Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 1 кВ, Uпрям. 1.1 В, Iпрям. (средн) 25 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, 25A, 1000V V(RRM),Case BR-W, Silicon, Рабочая температура -55 °C...+150 °C
Выпрямительные мосты
Под заказ
Под заказ
Корпус SOT89, Транзистор биполярный NPN, Р=500 мВт, Uкэ.макс. 80 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 500 мВ, Ток коллектора 1 А, Граничная частота 130 МГц, Коэффициент усиления по току, min 100, Коэффициент усиления по току, max 250
Одиночные биполярные транзисторы
Под заказ
Корпус SOT23, Транзистор биполярный NPN, Р=300 мВт, Uкэ.макс. 65 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 500 мВ, Ток коллектора 100 мА, Граничная частота 150 МГц, Коэффициент усиления по току, min 200, Коэффициент усиления по току, max 450
Одиночные биполярные транзисторы
Под заказ
Корпус SOD323, Диод одиночный, Uобр.макс. 250 В, Iпрям. (сред.) 200 мА, Uпрям. 1.25 В, Особенности Switching, Iобр. 100 нА, Время восстановления Диодов 50 нс, Емкость перехода 5пФ, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Монтаж на плату
Диодные сборки
Под заказ
Под заказ
Корпус SOD323, Диод одиночный, Uобр.макс. 100 В, Iпрям. (сред.) 250 мА, Uпрям. 1.25 В, Особенности быстродействующий, Iобр. 1 мкА, Время восстановления Диодов 4 нс, Емкость перехода 4пФ, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Монтаж на плату
Одиночные диоды
Под заказ
Под заказ
Под заказ
Корпус SOD523, Диод одиночный, Uобр.макс. 100 В, Iпрям. (сред.) 150 мА, Uпрям. 1.25 В, Особенности быстродействующий, Iобр. 1 мкА, Время восстановления Диодов 4 нс, Емкость перехода 4пФ, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Монтаж на плату
Одиночные диоды
Под заказ
Iимп.макс. 32.8 А, Uраб. 28.2 В, Uогр.(диап.), min 31.35 В, Uогр.(диап.), max 34.65 В, Iут.при Uраб. 1 мкА, Рпик=1.5 кВт, Тип супрессора двунаправленный, Uогр.(ном.) 33 В, Uимп.макс.45.7 В, Р=6.5 Вт
Диоды защиты от перенапряжения (TVS)
Под заказ
Корпус GBJ, Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 600 В, Uпрям. 1.1 В, Iпрям. (средн) 15 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 3.5A, 600V V(RRM), Silicon, Рабочая температура -55 °C...+150 °C
Выпрямительные мосты
Под заказ
Схема включения Диодов Double, separate, Uобр.макс. 1.2 кВ, Iпрям. (сред.) 100 А, Uпрям. 1.6 В, Особенности Module, Separate Rectifier Diode, Iобр. 500 мкА, Время восстановления Диодов 45 нс, Рабочая температура -40 °C...+150 °C, Монтаж под винт
Мощные выпрямительные диоды