Под заказ
Производитель
YangJie: электронные компоненты
Найдено 2 329 товаров
Разделы каталога
33
Под заказ
Под заказ
GS3MQ
Диод одиночный, Uобр.макс. 1 кВ, Iпрям. (сред.) 3 А, Uпрям. 1.1 В, Особенности General Purpose, Iобр. 5 мкА, Емкость перехода 25пФ, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Монтаж на плату
Одиночные диоды
Под заказ
Под заказ
Под заказ
GBP410A
Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 1 кВ, Uпрям. 1 В, Iпрям. (средн) 4 А, Примечание Bridge Rectifier, 1 Phase, 4A, 1000V, Рабочая температура -55 °C...+150 °C
Выпрямительные мосты
Под заказ
Под заказ
GBJ3510A
Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 1 кВ, Uпрям. 1 В, Iпрям. (средн) 35 А, Примечание Bridge Rectifier, 1 Phase, 35A, 1000V, Рабочая температура -55 °C...+150 °C
Выпрямительные мосты
Под заказ
Под заказ
Под заказ
ES3JBQ
Диод одиночный, Uобр.макс. 600 В, Iпрям. (сред.) 3 А, Uпрям. 1.7 В, Особенности Fast Recovery, Iобр. 5 мкА, Время восстановления Диодов 35 нс, Емкость перехода 60пФ, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Монтаж на плату
Одиночные диоды
Под заказ
ES2DQ
Диод одиночный, Uобр.макс. 200 В, Iпрям. (сред.) 2 А, Uпрям. 950 мВ, Особенности Fast Recovery, Iобр. 5 мкА, Время восстановления Диодов 35 нс, Емкость перехода 30пФ, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Монтаж на плату
Одиночные диоды
Под заказ
ES1JB
Корпус DO214AA, Диод одиночный, Uобр.макс. 600 В, Iпрям. (сред.) 1 А, Uпрям. 1.7 В, Особенности Super Fast, Iобр. 5 мкА, Время восстановления Диодов 35 нс, Емкость перехода 8пФ, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Монтаж на плату, SMT
Одиночные диоды
Под заказ
E1JFS
Корпус DO221AC, Диод одиночный, Uобр.макс. 600 В, Iпрям. (сред.) 1 А, Uпрям. 1.7 В, Особенности Super Fast, Iобр. 5 мкА, Время восстановления Диодов 35 нс, Емкость перехода 7пФ, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Монтаж на плату, SMT
Одиночные диоды
Под заказ
Под заказ
Под заказ
Под заказ
D8UB60
Uобр.макс. 600 В, Uпрям. 1 В, Iпрям. (средн) 8 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, Рабочая температура -55 °C...+150 °C
Выпрямительные мосты
Под заказ
BZX84C9V1
Корпус SOT23, Напряжение стабилизации 9.1 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 15 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 9.1V V(Z), 6.08%, 0.35W, Silicon, Unidirectional
Одиночные стабилитроны
Под заказ
BZX84C3V3
Корпус SOT23, Напряжение стабилизации 3.3 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 95 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 3.3V V(Z), 6.06%, 0.35W, Silicon, Unidirectional
Одиночные стабилитроны
Под заказ
Под заказ
BZX84C18Q
Корпус SOT23, Напряжение стабилизации 18 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 45 Ом
Одиночные стабилитроны
Под заказ
BZX84C18
Корпус SOT23, Напряжение стабилизации 18 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 45 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 18V V(Z), 6.41%, 0.35W, Silicon, Unidirectional
Одиночные стабилитроны
Под заказ
BZX84C16
Корпус SOT23, Напряжение стабилизации 16 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 40 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 16V V(Z), 5.56%, 0.35W, Silicon, Unidirectional
Одиночные стабилитроны
Под заказ
BZX584B8V2
Корпус SOD523, Напряжение стабилизации 8.2 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 15 Ом
Одиночные стабилитроны