Под заказ
YJL2301F
Транзистор P-MOSFET, TRENCH POWER LV, полевой, -20В, -1,6А, 0,7Вт
Одиночные MOSFET транзисторыКатегория
Найдено 233 товара
Под заказ
Транзистор P-MOSFET, TRENCH POWER LV, полевой, -20В, -1,6А, 0,7Вт
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Под заказ
Корпус DFN83X3, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 100 В, Iс ном. при 25°C 40 А, Rот.(мин) 15 мОм, Rот.при Uз(ном), min 15 мОм, Rот.при Uз(ном), max 18 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 16 нКл, Р=43 Вт, Сз=1 051пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Под заказ
Под заказ
Под заказ
Под заказ
Под заказ
Под заказ
Под заказ
Корпус SOT23, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 60 В, Iс ном. при 25°C 3 А, Rот.(мин) 60 мОм, Rот.при Uз(ном), min 60 мОм, Rот.при Uз(ном), max 70 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 8.8 нКл, Р=1.2 Вт, Сз=400пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Корпус PDFN568, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 30 В, Iс ном. при 25°C 105 А, Rот.(мин) 2.45 мОм, Rот.при Uз(ном), min 2.45 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 49.5 нКл, Р=70 Вт, 0.003ohm, Сз=4 401пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Под заказ
Под заказ
Под заказ
Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 60 В, Iс ном. при 25°C 62 А, Rот.(мин) 5.8 мОм, Rот.при Uз(ном), min 5.8 мОм, Rот.при Uз(ном), max 7.3 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 34 нКл, Р=45 Вт, Сз=2 000пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Транзистор MOSFET Р-кан., Uс-и макс. -20 В, Iс ном. при 25°C -16 А, Rот.(мин) 11 мОм, Rот.при Uз(ном), min 11 мОм, Rот.при Uз(ном), max 20 мОм, диап. Uз мин. -1.8 В, диап. Uз макс. -4.5 В, Uз макс. 10 В, Qз 72.8 нКл, Р=18 Вт, Сз=2 992пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Под заказ
Транзистор P-MOSFET, TRENCH POWER LВ, полевой, -30В, -3,5А, 1,5Вт
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Под заказ
Корпус SOT523, Транзистор MOSFET Р-кан., Uс-и макс. -20 В, Iс ном. при 25°C -0.5 А, Rот.(мин) 580 мОм, Rот.при Uз(ном), min 580 мОм, Rот.при Uз(ном), max 1.35 Ом, диап. Uз мин. -1.8 В, диап. Uз макс. -4.5 В, Uз макс. 12 В, Qз 1.24 нКл, Р=180 мВт, Сз=71пФ
Одиночные MOSFET транзисторы