Категория
Найдено 233 товара
Под заказ
Транзистор: P-MOSFET; TRENCH POWER MV; полевой; 20В; -10,4А; 3Вт
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Транзистор MOSFET Р-кан., Uс-и макс. -100 В, Iс ном. при 25°C -15 А, Rот.(мин) 83 мОм, Rот.при Uз(ном), min 83 мОм, Rот.при Uз(ном), max 95 мОм, диап. Uз мин. -4.5 В, диап. Uз макс. -10 В, Uз макс. 20 В, Qз 20.1 нКл, Р=43 Вт, Сз=1 051пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Транзистор P-MOSFET, TRENCH POWER LV, полевой, -16В, -5,6А, 2,2Вт
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Транзистор N-MOSFET, TRENCH POWER MВ, полевой, 100В, 2,4А, 4Вт
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Транзистор N-MOSFET, TRENCH POWER LV, полевой, 40В, 42А, Idm 200А
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Транзистор N-MOSFET, TRENCH POWER LV, полевой, 20В, 3,6А, Idm 18А
Одиночные MOSFET транзисторыТранзистор N-MOSFET 60В 20А 17Вт [TO-252.]
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Транзистор N-MOSFET, TRENCH POWER MV, полевой, 100В, 3,2А, 2,5Вт
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Транзистор N-MOSFET 60В 3А [SOT-23-3]
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Трехфазный диодный мост, Urmax 1кВ, If 35А, Ifsm 400А, TSB-5, THT
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 30 В, Iс ном. при 25°C 5.6 А, Rот.(мин) 21 мОм, Rот.при Uз(ном), min 21 мОм, Rот.при Uз(ном), max 27 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 12.22 нКл, Р=1.2 Вт, Сз=526пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Транзистор P-MOSFET x2, TRENCH POWER LВ, полевой, -20В, -3А
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Корпус SOT323, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 60 В, Iс ном. при 25°C 300 мА, Rот.(мин) 1.9 Ом, Rот.при Uз(ном), min 1.9 Ом, Rот.при Uз(ном), max 2 Ом, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 1.65 нКл, Р=300 мВт, Сз=27пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 60 В, Iс ном. при 25°C 5 А, Rот.(мин) 35 мОм, Rот.при Uз(ном), min 35 мОм, Rот.при Uз(ном), max 39 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 26.4 нКл, Р=2.5 Вт, Сз=1 018пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Транзистор MOSFET Р-кан., Uс-и макс. -30 В, Iс ном. при 25°C -4.4 А, Rот.(мин) 45.5 мОм, Rот.при Uз(ном), min 45.5 мОм, Rот.при Uз(ном), max 64 мОм, диап. Uз мин. -2.5 В, диап. Uз макс. -10 В, Uз макс. 12 В, Qз 18 нКл, Р=-1.2 Вт, Сз=1 040пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Корпус SOT23, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 60 В, Iс ном. при 25°C 300 мА, Rот.(мин) 1.9 Ом, Rот.при Uз(ном), min 1.9 Ом, Rот.при Uз(ном), max 2 Ом, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 1.22 нКл, Р=300 мВт, Сз=21пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Под заказ
Транзистор MOSFET Р-кан., Uс-и макс. -30 В, Iс ном. при 25°C -4.1 А, Rот.(мин) 36 мОм, Rот.при Uз(ном), min 36 мОм, Rот.при Uз(ном), max 52 мОм, диап. Uз мин. -4.5 В, диап. Uз макс. -10 В, Uз макс. 20 В, Qз 11.65 нКл, Р=1.2 Вт, Сз=572пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 60 В, Iс ном. при 25°C 300 мА, Rот.(мин) 1.9 Ом, Rот.при Uз(ном), min 1.9 Ом, Rот.при Uз(ном), max 2 Ом, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 1.65 нКл, Р=300 мВт, Сз=27пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Корпус SOT323, Транзистор MOSFET Р-кан., Uс-и макс. -60 В, Iс ном. при 25°C -0.17 А, Rот.(мин) 3.3 Ом, Rот.при Uз(ном), min 3.3 Ом, Rот.при Uз(ном), max 3.5 Ом, диап. Uз мин. -4.5 В, диап. Uз макс. -10 В, Uз макс. 20 В, Qз 1.77 нКл, Р=150 мВт, Сз=43пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Под заказ