YJP65N06A
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 65A TO-220
Одиночные MOSFET транзисторыКатегория
Найдено 233 товара
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 65A TO-220
Одиночные MOSFET транзисторы
В наличии
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 50В 130мА, 0.25Вт
Одиночные MOSFET транзисторыТранзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 50A TO-252
Одиночные MOSFET транзисторы
В наличии
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 12A -55...+150°С SOP-8
Одиночные MOSFET транзисторыТранзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 200A TO-263
Одиночные MOSFET транзисторы
В наличии
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 4.4A SOT-23
Одиночные MOSFET транзисторы
В наличии
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 30A TO-263
Одиночные MOSFET транзисторыТранзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 60A
Одиночные MOSFET транзисторы
В наличии
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50A TO-252
Одиночные MOSFET транзисторы
В наличии
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 25A PDFN5060-8L
Одиночные MOSFET транзисторы
В наличии
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 200A TO-263
Одиночные MOSFET транзисторы
В наличии
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 0.115A(постоянный), 0.8A(импульсный) 0.2Вт
Одиночные MOSFET транзисторыТранзистор полевой MOSFET N-канальный 10В 60A 17.5мОм TO-247
Одиночные MOSFET транзисторы
В наличии
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 45A TO-252
Одиночные MOSFET транзисторыТранзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 200А
Одиночные MOSFET транзисторы
В наличии
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 3А 57 мОм
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Под заказ
Под заказ
Корпус SOIC8, Транзистор MOSFET Р-кан., Uс-и макс. -30 В, Iс ном. при 25°C -12 А, Rот.(мин) 7.5 мОм, Rот.при Uз(ном), min 7.5 мОм, Rот.при Uз(ном), max 10 мОм, диап. Uз мин. -20 В, Qз 38 нКл, Р=2.5 Вт, Сз=1 860 Ф
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Корпус TO252, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 100 В, Iс ном. при 25°C 25 А, Rот.(мин) 43 мОм, Rот.при Uз(ном), min 43 мОм, Rот.при Uз(ном), max 46 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 51.4 нКл, Р=45 Вт, Сз=2 071пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Корпус TO263, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 100 В, Iс ном. при 25°C 70 А, Rот.(мин) 7.2 мОм, Rот.при Uз(ном), min 7.2 мОм, Rот.при Uз(ном), max 8.8 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 32 нКл, Р=125 Вт, Сз=2 270пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 40 В, Iс ном. при 25°C 20 А, Rот.(мин) 11 мОм, Rот.при Uз(ном), min 11 мОм, Rот.при Uз(ном), max 14.3 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 23.6 нКл, Р=21 Вт, Сз=917пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 30 В, Iс ном. при 25°C 13 А, Rот.(мин) 7 мОм, Rот.при Uз(ном), min 7 мОм, Rот.при Uз(ном), max 11 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 23.6 нКл, Р=2.9 Вт, Сз=1 015пФ
Одиночные MOSFET транзисторы