Промэлектроника
SKU поставщика: 139802
- Остаток
- 222
- MOQ / кратность
- 1 / 10
- Срок
- 0 дн.
- Обновлено
- 25.10.2026 02:48
MPN: FF200R12KT4HOSA1
СДЭК.
Деловые Линии.
Предварительно, с учётом количества и расчётной упаковки. Минимум 1 кг. Срок — после передачи перевозчику.
Условия доставкиЗаказ и консультация менеджера
Укажите название товара, MPN/код FF200R12KT4HOSA1 и необходимое количество.
В MAX найдите нас по номеру +7 958 623-59-59.
Цена указана за 1 шт. Итоговое наличие и срок поставки менеджер подтвердит при обработке заказа.
| Количество | Цена за 1 шт |
|---|---|
| от 1 шт | 7 711,34 ₽ |
| от 2 шт | 7 465,91 ₽ |
| от 3 шт | 7 301,74 ₽ |
| от 6 шт | 7 157,31 ₽ |
| от 10 шт | 7 059,68 ₽ |
Все варианты относятся к одной карточке производителя и MPN. Наличие, цена и срок подтверждаются менеджером перед поставкой.
SKU поставщика: 139802
SKU поставщика: 139802
| Предложение | Цена | Остаток | MOQ / кратность | Срок | Обновлено |
|---|---|---|---|---|---|
| Промэлектроника139802 | 7 711,34 ₽ | 222 | 1 / 10 | 0 дн. | 25.10.2026 02:48 |
| Промэлектроника139802 | 8 045,06 ₽ | 630 | 126 / 1 | 28 дн. | 25.10.2026 02:48 |
Добавьте товар в корзину или отправьте заявку на sales@chipbaza.ru.
По данным каталога доступно 222 шт. Менеджер подтвердит остаток.
Срок зависит от доступности товара. Уточните его у менеджера до оплаты.
Техническая документация доступна для просмотра и скачивания на сайте ChipBaza.
Infineon Technologies FF200R12KT4HOSA1 — техническая документация.pdfБиполярный транзистор IGBT, 1200В, 200А, 1100Вт
Перейдите к товарам того же производителя или к связанным разделам каталога.
Позиции подбираются по категории и доступным характеристикам. Это не подтверждает взаимозаменяемость — совместимость по точному артикулу уточните у менеджера.
В наличии
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 200 А, 1050Вт
Силовые модули IGBT
Под заказ
Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 400A
Силовые модули IGBT
В наличии
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А, 790 Вт
Силовые модули IGBT
В наличии
Биполярный транзистор IGBT 1200В 300А
Силовые модули IGBTДополнительные позиции производителя из других разделов каталога.
В наличии
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.7А 1.25Вт, 0.092 Ом
Одиночные MOSFET транзисторы
В наличии
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 0.33А 0.36Вт, 2.0 Ом
Одиночные MOSFET транзисторы
В наличии
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100B, 0.17А 0.36Вт, 6 Ом
Одиночные MOSFET транзисторы
В наличии
Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 170 МГц, 2.2 кОм+47 кОм
Сборки цифровых транзисторов