Промэлектроника
SKU поставщика: 139799
- Остаток
- 160
- MOQ / кратность
- 1 / 10
- Срок
- 0 дн.
- Обновлено
- 04.10.2026 02:59
MPN: FF150R12RT4HOSA1
СДЭК.
Деловые Линии.
Предварительно, с учётом количества и расчётной упаковки. Минимум 1 кг. Срок — после передачи перевозчику.
Условия доставкиЗаказ и консультация менеджера
Укажите название товара, MPN/код FF150R12RT4HOSA1 и необходимое количество.
В MAX найдите нас по номеру +7 958 623-59-59.
Цена указана за 1 шт. Итоговое наличие и срок поставки менеджер подтвердит при обработке заказа.
| Количество | Цена за 1 шт |
|---|---|
| от 1 шт | 9 103,96 ₽ |
| от 2 шт | 8 815,13 ₽ |
| от 3 шт | 8 621,90 ₽ |
| от 6 шт | 8 451,94 ₽ |
| от 10 шт | 8 337,01 ₽ |
Все варианты относятся к одной карточке производителя и MPN. Наличие, цена и срок подтверждаются менеджером перед поставкой.
SKU поставщика: 139799
SKU поставщика: 139799
| Предложение | Цена | Остаток | MOQ / кратность | Срок | Обновлено |
|---|---|---|---|---|---|
| Промэлектроника139799 | 9 103,96 ₽ | 160 | 1 / 10 | 0 дн. | 04.10.2026 02:59 |
| Промэлектроника139799 | 9 103,96 ₽ | 3 | 1 / 1 | 2 дн. | 04.10.2026 02:59 |
Добавьте товар в корзину или отправьте заявку на sales@chipbaza.ru.
По данным каталога доступно 160 шт. Менеджер подтвердит остаток.
Срок зависит от доступности товара. Уточните его у менеджера до оплаты.
Техническая документация доступна для просмотра и скачивания на сайте ChipBaza.
Infineon Technologies FF150R12RT4HOSA1 — техническая документация.pdfБиполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А, 790 Вт
Перейдите к товарам того же производителя или к связанным разделам каталога.
Позиции подбираются по категории и доступным характеристикам. Это не подтверждает взаимозаменяемость — совместимость по точному артикулу уточните у менеджера.
Под заказ
Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 50А
Силовые модули IGBT
В наличии
Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 200А, 1100Вт
Силовые модули IGBT
В наличии
Биполярный транзистор IGBT 1200В 300А
Силовые модули IGBT
В наличии
Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 35A
Силовые модули IGBTДополнительные позиции производителя из других разделов каталога.
В наличии
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 1.3Вт
Одиночные MOSFET транзисторы
В наличии
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.7А 1.25Вт, 0.092 Ом
Одиночные MOSFET транзисторы
В наличии
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100B, 0.17А 0.36Вт, 6 Ом
Одиночные MOSFET транзисторы
В наличии
Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 170 МГц, 2.2 кОм+47 кОм
Сборки цифровых транзисторов