Промэлектроника
- Остаток
- 0
- MOQ / кратность
- 1 / 4
- Срок
- 0 дн.
- Обновлено
- 02.08.2026 02:25
Изображение отсутствует
Код товара ChipBaza: CB-201481
СДЭК.
Деловые Линии.
Предварительно, с учётом количества и расчётной упаковки. Минимум 1 кг. Срок — после передачи перевозчику.
Условия доставкиЗаказ и консультация менеджера
Укажите название товара, MPN/код CB-201481 и необходимое количество.
В MAX найдите нас по номеру +7 958 623-59-59.
Цена указана за 1 шт. Итоговое наличие и срок поставки менеджер подтвердит при обработке заказа.
| Количество | Цена за 1 шт |
|---|---|
| от 1 шт | 8 131,28 ₽ |
| от 2 шт | 7 849,43 ₽ |
| от 3 шт | 7 625,71 ₽ |
| от 4 шт | 7 428,93 ₽ |
| от 8 шт | 7 295,86 ₽ |
Все варианты относятся к одной карточке производителя и MPN. Наличие, цена и срок подтверждаются менеджером перед поставкой.
| Предложение | Цена | Остаток | MOQ / кратность | Срок | Обновлено |
|---|---|---|---|---|---|
| Промэлектроника | 8 131,28 ₽ | 0 | 1 / 4 | 0 дн. | 02.08.2026 02:25 |
Добавьте товар в корзину или отправьте заявку на sales@chipbaza.ru.
Товар поставляется под заказ. Менеджер уточнит доступное количество.
Срок зависит от доступности товара. Уточните его у менеджера до оплаты.
Техническая документация доступна для просмотра и скачивания на сайте ChipBaza.
Leapers Semiconductor DFS36FB14EYQ1 — техническая документация.pdfBlocking Voltage 1400V Si3N4 AMB High Reliability Epoxy ResinPotting Technology Highly Reliable
Перейдите к товарам того же производителя или к связанным разделам каталога.
Позиции подбираются по категории и доступным характеристикам. Это не подтверждает взаимозаменяемость — совместимость по точному артикулу уточните у менеджера.
В наличии
Транзистор полевой MOSFET SIC N-канальый 650В 6А, 65Вт
Транзисторы на основе карбида кремния (SiC)
В наличии
Транзистор полевой MOSFET N-канальный SiC 1200В 66А 4-Pin(4+Tab) TO-247
Транзисторы на основе карбида кремния (SiC)
В наличии
Полевой транзистор N-канальный 12В 17.7А 3-Pin(3+Tab) TO-247
Транзисторы на основе карбида кремния (SiC)
В наличии
Полевой транзистор N-канальный 1200В 45A HIP247
Транзисторы на основе карбида кремния (SiC)Дополнительные позиции производителя из других разделов каталога.
В наличии
IGBT Модуль 1700В, 450А, полумостовой
Силовые модули IGBTIGBT модуль 1200В, 100A
Силовые модули IGBT