Промэлектроника
SKU поставщика: 567953
- Остаток
- 200
- MOQ / кратность
- 1 / 1 000
- Срок
- 0 дн.
- Обновлено
- 25.10.2026 06:59
MPN: IMBG65R260M1HXTMA1
СДЭК.
Деловые Линии.
Предварительно, с учётом количества и расчётной упаковки. Минимум 1 кг. Срок — после передачи перевозчику.
Условия доставкиЗаказ и консультация менеджера
Укажите название товара, MPN/код IMBG65R260M1HXTMA1 и необходимое количество.
В MAX найдите нас по номеру +7 958 623-59-59.
Цена указана за 1 шт. Итоговое наличие и срок поставки менеджер подтвердит при обработке заказа.
| Количество | Цена за 1 шт |
|---|---|
| от 1 шт | 412,66 ₽ |
| от 6 шт | 389,53 ₽ |
| от 12 шт | 370,68 ₽ |
| от 23 шт | 356,66 ₽ |
| от 45 шт | 346,24 ₽ |
Все варианты относятся к одной карточке производителя и MPN. Наличие, цена и срок подтверждаются менеджером перед поставкой.
SKU поставщика: 567953
SKU поставщика: 567953
SKU поставщика: 567953
| Предложение | Цена | Остаток | MOQ / кратность | Срок | Обновлено |
|---|---|---|---|---|---|
| Промэлектроника567953 | 412,66 ₽ | 200 | 1 / 1 000 | 0 дн. | 25.10.2026 06:59 |
| Промэлектроника567953 | 353,58 ₽ | 1 000 | 200 / 1 | 28 дн. | 25.10.2026 06:59 |
| Промэлектроника567953 | 412,66 ₽ | 8 | 1 / 1 | 2 дн. | 25.10.2026 06:59 |
Добавьте товар в корзину или отправьте заявку на sales@chipbaza.ru.
По данным каталога доступно 200 шт. Менеджер подтвердит остаток.
Срок зависит от доступности товара. Уточните его у менеджера до оплаты.
Техническая документация доступна для просмотра и скачивания на сайте ChipBaza.
Infineon Technologies IMBG65R260M1HXTMA1 — техническая документация.pdfТранзистор полевой MOSFET SIC N-канальый 650В 6А, 65Вт
Перейдите к товарам того же производителя или к связанным разделам каталога.
Позиции подбираются по категории и доступным характеристикам. Это не подтверждает взаимозаменяемость — совместимость по точному артикулу уточните у менеджера.
В наличии
Транзистор полевой MOSFET N-канальный SiC 1200В 7.2А TO-263-7
Транзисторы на основе карбида кремния (SiC)
Под заказ
Транзистор полевой MOSFET N-канальный SiC 900В 36А 4-Pin(4+Tab) TO-247
Транзисторы на основе карбида кремния (SiC)
Под заказ
Транзистор полевой MOSFET SIC N-канальый 1200В 96А, 459Вт
Транзисторы на основе карбида кремния (SiC)
В наличии
Транзистор полевой MOSFET SIC N-канальный 18 В 50A HSOF-8
Транзисторы на основе карбида кремния (SiC)Дополнительные позиции производителя из других разделов каталога.
В наличии
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.7А 1.25Вт, 0.092 Ом
Одиночные MOSFET транзисторы
В наличии
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 0.33А 0.36Вт, 2.0 Ом
Одиночные MOSFET транзисторы
В наличии
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100B, 0.17А 0.36Вт, 6 Ом
Одиночные MOSFET транзисторы
В наличии
Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 170 МГц, 2.2 кОм+47 кОм
Сборки цифровых транзисторов