ChipBaza
Получить коммерческое предложение
Проверим наличие
перед счётом

Категория

Транзисторы

Найдено 12 199 товаров

Все категории

Подкатегории

3
IGBT (БТИЗ) транзисторы 807 Биполярные транзисторы 4 089 Полевые транзисторы 7 303
Все доступные товары
YJG100N04A Под заказ
YangJie MOQ 1

YJG100N04A

Корпус PDFN568, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 40 В, Iс ном. при 25°C 100 А, Rот.(мин) 2.8 мОм, Rот.при Uз(ном), min 2.8 мОм, Rот.при Uз(ном), max 4 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 102 нКл, Р=83 Вт, Сз=4 645пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 38,19 ₽
YJG150N03A Под заказ
YangJie MOQ 1

YJG150N03A

Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 30 В, Iс ном. при 25°C 150 А, Rот.(мин) 1.58 мОм, Rот.при Uз(ном), min 1.58 мОм, Rот.при Uз(ном), max 2.6 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 92.7 нКл, Р=69 Вт, Сз=4 498пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 40,22 ₽
YJQ3622A Под заказ
YangJie MOQ 1

YJQ3622A

Транзистор MOSFET 2N-канальный, Uс-и макс. 30 В, Iс ном. при 25°C 30 А, Rот.(мин) 7.5 мОм, Rот.при Uз(ном), min 7.5 мОм, Rот.при Uз(ном), max 11.5 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 23.6 нКл, Р=21 Вт, Сз=1 015пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 24,96 ₽
YJD18GP10AQ Под заказ
YangJie MOQ 1

YJD18GP10AQ

Транзистор MOSFET Р-кан., Uс-и макс. -100 В, Iс ном. при 25°C -18 А, Rот.(мин) 83 мОм, Rот.при Uз(ном), min 83 мОм, Rот.при Uз(ном), max 95 мОм, диап. Uз мин. -4.5 В, диап. Uз макс. -10 В, Uз макс. 20 В, Qз 20.1 нКл, Р=72 Вт, Сз=1 051пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 45,06 ₽
YJD50N03A Под заказ
YangJie MOQ 1

YJD50N03A

Корпус TO252, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 30 В, Iс ном. при 25°C 50 А, Rот.(мин) 5.4 мОм, Rот.при Uз(ном), min 5.4 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 23.6 нКл, Р=28 Вт, 50A I(D), 30V, 0.011ohm, Сз=1 015пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 25,78 ₽
YJP70G10A Под заказ
YangJie MOQ 1

YJP70G10A

Корпус TO220, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 100 В, Iс ном. при 25°C 70 А, Rот.(мин) 7.2 мОм, Rот.при Uз(ном), min 7.2 мОм, Rот.при Uз(ном), max 8.8 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 32 нКл, Р=125 Вт, Сз=2 270пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 57,40 ₽
BSS138DW Под заказ
YangJie MOQ 1

BSS138DW

Корпус SOT363, Транзистор MOSFET 2N-канальный, Uс-и макс. 50 В, Iс ном. при 25°C 340 мА, Rот.(мин) 1.1 Ом, Rот.при Uз(ном), min 1.1 Ом, Rот.при Uз(ном), max 1.2 Ом, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 1.7 нКл, Р=350 мВт, Сз=28.5пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 5,20 ₽
2N7002KCDW Под заказ
YangJie MOQ 1

2N7002KCDW

Корпус SOT363, Транзистор MOSFET 2N-канальный, Uс-и макс. 60 В, Iс ном. при 25°C 300 мА, Rот.(мин) 1.9 Ом, Rот.при Uз(ном), min 1.9 Ом, Rот.при Uз(ном), max 2 Ом, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 1.65 нКл, Р=300 мВт, Сз=27пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 5,12 ₽
YJM05N06A Под заказ
YangJie MOQ 1

YJM05N06A

Корпус SOT223, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 60 В, Iс ном. при 25°C 5 А, Rот.(мин) 35 мОм, Rот.при Uз(ном), min 35 мОм, Rот.при Uз(ном), max 39 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 26 нКл, Р=2.5 Вт, Сз=1 018пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 15,44 ₽
YJD80N03A Под заказ
YangJie MOQ 1

YJD80N03A

Корпус TO252, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 30 В, Iс ном. при 25°C 80 А, Rот.(мин) 3.6 мОм, Rот.при Uз(ном), min 3.6 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 54 нКл, Р=44 Вт, 0.006ohm, TO-252, Сз=2 504пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 22,82 ₽
2N7002DW Под заказ
YangJie MOQ 1

2N7002DW

Корпус SOT363, Транзистор MOSFET 2N-канальный, Uс-и макс. 60 В, Iс ном. при 25°C 340 мА, Rот.(мин) 1.2 Ом, Rот.при Uз(ном), min 1.2 Ом, Rот.при Uз(ном), max 1.3 Ом, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 30 В, Qз 1.6 нКл, Р=150 мВт, Сз=27.5пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 5,21 ₽
YJL3139KT Под заказ
YangJie MOQ 1

YJL3139KT

Транзистор MOSFET Р-кан., Uс-и макс. -20 В, Iс ном. при 25°C -0.65 А, Rот.(мин) 360 мОм, Rот.при Uз(ном), min 360 мОм, Rот.при Uз(ном), max 860 мОм, диап. Uз мин. -1.8 В, диап. Uз макс. -4.5 В, Uз макс. 12 В, Qз 1.24 нКл, Р=180 мВт, Сз=71пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 6,55 ₽
YJP200G06A Под заказ
YangJie MOQ 1

YJP200G06A

Корпус TO220, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 60 В, Iс ном. при 25°C 200 А, Rот.(мин) 2.35 мОм, Rот.при Uз(ном), min 2.35 мОм, Rот.при Uз(ном), max 2.9 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 93 нКл, Р=260 Вт, Сз=5 950пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 73,00 ₽
YJD60N02A Под заказ
YangJie MOQ 1

YJD60N02A

Корпус TO252, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 20 В, Iс ном. при 25°C 60 А, Rот.(мин) 4.5 мОм, Rот.при Uз(ном), min 4.5 мОм, Rот.при Uз(ном), max 8 мОм, диап. Uз мин. 1.8 В, диап. Uз макс. 4.5 В, Uз макс. 10 В, Qз 27.9 нКл, Р=29 Вт, Сз=2 250пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 19,10 ₽
Под заказ
YangJie MOQ 1

YJD45G10AQ

Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 100 В, Iс ном. при 25°C 45 А, Rот.(мин) 14 мОм, Rот.при Uз(ном), min 14 мОм, Rот.при Uз(ном), max 17 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 19 нКл, Р=73 Вт, Сз=1 165пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 47,05 ₽
DTC124ECA Под заказ
YangJie MOQ 1

DTC124ECA

Корпус SOT23, Транзистор биполярный NPN, Р=200 мВт, Uкэ.макс. 50 В, Ток коллектора 100 мА, Граничная частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 56, Встроенное сопротивление в базовой цепи 22 кОм, Встроенное сопротивление в цепи БЭ 22 кОм

Одиночные цифровые транзисторы
Цена с НДС 5,27 ₽
DTA144ECA Под заказ
YangJie MOQ 1

DTA144ECA

Корпус SOT23, Транзистор биполярный PNP, Р=200 мВт, Uкэ.макс. -50 В, Ток коллектора -0.03 А, Граничная частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 68, Встроенное сопротивление в базовой цепи 47 кОм, Встроенное сопротивление в цепи БЭ 47 кОм

Одиночные цифровые транзисторы
Цена с НДС 7,09 ₽