ChipBaza
Получить коммерческое предложение
Проверим наличие
перед счётом

Категория

Транзисторы

Найдено 12 199 товаров

Все категории

Подкатегории

3
IGBT (БТИЗ) транзисторы 807 Биполярные транзисторы 4 089 Полевые транзисторы 7 303
Все доступные товары
YJQ30N03A Под заказ
YangJie MOQ 1

YJQ30N03A

Корпус DFN30308, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 30 В, Iс ном. при 25°C 30 А, Rот.(мин) 5.8 мОм, Rот.при Uз(ном), min 5.8 мОм, Rот.при Uз(ном), max 10 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 23.6 нКл, Р=17 Вт, Сз=1 015пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 20,28 ₽
YJGD20G10A Под заказ
YangJie MOQ 1

YJGD20G10A

Транзистор MOSFET 2N-канальный, Uс-и макс. 100 В, Iс ном. при 25°C 20 А, Rот.(мин) 17 мОм, Rот.при Uз(ном), min 17 мОм, Rот.при Uз(ном), max 21 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 16 нКл, Р=17 Вт, Сз=1 051пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 49,61 ₽
YJG30N06A Под заказ
YangJie MOQ 1

YJG30N06A

Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 60 В, Iс ном. при 25°C 30 А, Rот.(мин) 16 мОм, Rот.при Uз(ном), min 16 мОм, Rот.при Uз(ном), max 17.5 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 51 нКл, Р=45 Вт, 0.02ohm, Сз=2 027пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 35,96 ₽
YJL2101W Под заказ
YangJie MOQ 1

YJL2101W

Корпус SOT323, Транзистор MOSFET Р-кан., Uс-и макс. -20 В, Iс ном. при 25°C -2 А, Rот.(мин) 100 мОм, Rот.при Uз(ном), min 100 мОм, Rот.при Uз(ном), max 175 мОм, диап. Uз мин. -1.8 В, диап. Uз макс. -4.5 В, Uз макс. 10 В, Qз 4.5 нКл, Р=250 мВт, Сз=327пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 5,21 ₽
YJQ55P02A Под заказ
YangJie MOQ 1

YJQ55P02A

Корпус DFN83X3, Транзистор MOSFET Р-кан., Uс-и макс. -20 В, Iс ном. при 25°C -55 А, Rот.(мин) 6.5 мОм, Rот.при Uз(ном), min 6.5 мОм, Rот.при Uз(ном), max 10.3 мОм, диап. Uз мин. -1.8 В, диап. Uз макс. -4.5 В, Uз макс. 10 В, Qз 149нКл, Р=38 Вт, Сз=6 358пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 31,41 ₽
YJS8205B Под заказ
YangJie MOQ 1

YJS8205B

Транзистор MOSFET 2N-канальный, Uс-и макс. 20 В, Iс ном. при 25°C 7 А, Rот.(мин) 13 мОм, Rот.при Uз(ном), min 13 мОм, Rот.при Uз(ном), max 21 мОм, диап. Uз мин. 1.8 В, диап. Uз макс. 4.5 В, Uз макс. 10 В, Qз 11.05 нКл, Р=1.5 Вт, Сз=888пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 10,62 ₽
YJS4438A Под заказ
YangJie MOQ 1

YJS4438A

Корпус SOIC8, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 60 В, Iс ном. при 25°C 8.2 А, Rот.(мин) 14.5 мОм, Rот.при Uз(ном), min 14.5 мОм, Rот.при Uз(ном), max 17 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 51 нКл, Р=3.1 Вт, Сз=2 027пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 20,83 ₽
YJL2312AL Под заказ
YangJie MOQ 1

YJL2312AL

Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 20 В, Iс ном. при 25°C 7.6 А, Rот.(мин) 12 мОм, Rот.при Uз(ном), min 12 мОм, Rот.при Uз(ном), max 20.5 мОм, диап. Uз мин. 1.8 В, диап. Uз макс. 4.5 В, Uз макс. 10 В, Qз 11.05 нКл, Р=1.5 Вт, Сз=888пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 8,59 ₽
YJG80G06B Под заказ
YangJie MOQ 1

YJG80G06B

Корпус PDFN8L5X6, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 60 В, Iс ном. при 25°C 80 А, Rот.(мин) 3 мОм, Rот.при Uз(ном), min 3 мОм, Rот.при Uз(ном), max 3.9 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 66 нКл, Р=96 Вт, Сз=4 000пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 81,94 ₽
YJQ10N02A Под заказ
YangJie MOQ 1

YJQ10N02A

Корпус DFN2020MD6, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 20 В, Iс ном. при 25°C 13 А, Rот.(мин) 7.8 мОм, Rот.при Uз(ном), min 7.8 мОм, Rот.при Uз(ном), max 12 мОм, диап. Uз мин. 1.8 В, диап. Uз макс. 4.5 В, Uз макс. 10 В, Qз 11.05 нКл, Р=2.2 Вт, Сз=888пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 15,25 ₽
YJS18N03A Под заказ
YangJie MOQ 1

YJS18N03A

Корпус SOIC8, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 30 В, Iс ном. при 25°C 18 А, Rот.(мин) 4.5 мОм, Rот.при Uз(ном), min 4.5 мОм, Rот.при Uз(ном), max 6.6 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 46.3 нКл, Р=3 Вт, Сз=2 191пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 17,72 ₽
YJQ23GP06A Под заказ
YangJie MOQ 1

YJQ23GP06A

Транзистор MOSFET Р-кан., Uс-и макс. -60 В, Iс ном. при 25°C -22.5 А, Rот.(мин) 35 мОм, Rот.при Uз(ном), min 35 мОм, Rот.при Uз(ном), max 45 мОм, диап. Uз мин. -4.5 В, диап. Uз макс. -10 В, Uз макс. 20 В, Qз 18.7 нКл, Р=43 Вт, Сз=1 100пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 23,83 ₽
YJS2305A Под заказ
YangJie MOQ 1

YJS2305A

Транзистор MOSFET Р-кан., Uс-и макс. -20 В, Iс ном. при 25°C -5.4 А, Rот.(мин) 27 мОм, Rот.при Uз(ном), min 27 мОм, Rот.при Uз(ном), max 48 мОм, диап. Uз мин. -1.8 В, диап. Uз макс. -4.5 В, Uз макс. 10 В, Qз 10.98 нКл, Р=1.2 Вт, Сз=1 010пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 12,43 ₽
YJG130G04A Под заказ
YangJie MOQ 1

YJG130G04A

Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 40 В, Iс ном. при 25°C 130 А, Rот.(мин) 1.45 мОм, Rот.при Uз(ном), min 1.45 мОм, Rот.при Uз(ном), max 1.9 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 132 нКл, Р=115 Вт, 0.003ohm, Сз=7 100пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 92,79 ₽
YJS4447B Под заказ
YangJie MOQ 1

YJS4447B

Корпус SOIC8, Транзистор MOSFET Р-кан., Uс-и макс. -30 В, Iс ном. при 25°C -18 А, Rот.(мин) 5 мОм, Rот.при Uз(ном), min 5 мОм, Rот.при Uз(ном), max 6.9 мОм, диап. Uз мин. -4.5 В, диап. Uз макс. -10 В, Uз макс. 25 В, Qз 111.7 нКл, Р=3.4 Вт, Сз=6 464пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 60,07 ₽
Под заказ
YangJie MOQ 1

YJQ3415A

Транзистор MOSFET Р-кан., Uс-и макс. -20 В, Iс ном. при 25°C -6.2 А, Rот.(мин) 29 мОм, Rот.при Uз(ном), min 29 мОм, Rот.при Uз(ном), max 55 мОм, диап. Uз мин. -1.8 В, диап. Uз макс. -4.5 В, Uз макс. 12 В, Qз 10.98 нКл, Р=2.2 Вт, Сз=1 010пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 9,45 ₽