ChipBaza
Получить коммерческое предложение
Проверим наличие
перед счётом

Категория

Транзисторы

Найдено 12 199 товаров

Все категории

Подкатегории

3
IGBT (БТИЗ) транзисторы 807 Биполярные транзисторы 4 089 Полевые транзисторы 7 303
Все доступные товары
BC847BSQ Под заказ
YangJie MOQ 1

BC847BSQ

Транзистор биполярный NPN/NPN, Р=200 мВт, Uкэ.макс. 45 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 650 мВ, Ток коллектора 100 мА, Граничная частота 150 МГц, Коэффициент усиления по току, min 200, Коэффициент усиления по току, max 450

Одиночные биполярные транзисторы
Цена с НДС 6,70 ₽
MMBT4403Q Под заказ
YangJie MOQ 1

MMBT4403Q

Транзистор биполярный PNP, Р=300 мВт, Uкэ.макс. -40 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии -0.4 В, Ток коллектора -0.6 А, Граничная частота 200 МГц, Коэффициент усиления по току, min 100, Коэффициент усиления по току, max 300

Одиночные биполярные транзисторы
Цена с НДС 5,43 ₽
MMBTA92Q Под заказ
YangJie MOQ 1

MMBTA92Q

Корпус SOT23, Транзистор биполярный PNP, Р=300 мВт, Uкэ.макс. -300 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии -0.5 В, Ток коллектора -0.3 А, Граничная частота 50 МГц, Коэффициент усиления по току, min 100, Коэффициент усиления по току, max 200

Одиночные биполярные транзисторы
Цена с НДС 7,36 ₽
BC847PNQ Под заказ
YangJie MOQ 1

BC847PNQ

Корпус SOT363, Транзистор биполярный NPN/PNP, Р=200 мВт, Uкэ.макс. 45 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 650 мВ, Ток коллектора 100 мА, Граничная частота 150 МГц, Коэффициент усиления по току, min 200, Коэффициент усиления по току, max 450

Одиночные биполярные транзисторы
Цена с НДС 8,67 ₽
MMST4403Q Под заказ
YangJie MOQ 1

MMST4403Q

Транзистор биполярный PNP, Р=200 мВт, Uкэ.макс. -40 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии -0.4 В, Ток коллектора -0.6 А, Граничная частота 200 МГц, Коэффициент усиления по току, min 100, Коэффициент усиления по току, max 300

Одиночные биполярные транзисторы
Цена с НДС 6,02 ₽
BC846BWQ Под заказ
YangJie MOQ 1

BC846BWQ

Транзистор биполярный NPN, Р=200 мВт, Uкэ.макс. 65 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 500 мВ, Ток коллектора 100 мА, Граничная частота 150 МГц, Коэффициент усиления по току, min 200, Коэффициент усиления по току, max 450

Одиночные биполярные транзисторы
Цена с НДС 5,86 ₽
BC846AQ Под заказ
YangJie MOQ 1

BC846AQ

Корпус SOT23, Транзистор биполярный NPN, Р=300 мВт, Uкэ.макс. 65 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 500 мВ, Ток коллектора 100 мА, Граничная частота 150 МГц, Коэффициент усиления по току, min 110, Коэффициент усиления по току, max 220

Одиночные биполярные транзисторы
Цена с НДС 4,37 ₽
MMBTA42Q Под заказ
YangJie MOQ 1

MMBTA42Q

Корпус SOT23, Транзистор биполярный NPN, Р=350 мВт, Uкэ.макс. 300 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 500 мВ, Ток коллектора 500 мА, Граничная частота 50 МГц, Коэффициент усиления по току, min 40, Коэффициент усиления по току, max 300

Одиночные биполярные транзисторы
Цена с НДС 7,36 ₽
2SB1198-RQ Под заказ
YangJie MOQ 1

2SB1198-RQ

Транзистор биполярный PNP, Р=200 мВт, Uкэ.макс. -80 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии -0.5 В, Ток коллектора -0.5 А, Граничная частота 180 МГц, Коэффициент усиления по току, min 180, Коэффициент усиления по току, max 390

Одиночные биполярные транзисторы
Цена с НДС 8,07 ₽
MMDT3904Q Под заказ
YangJie MOQ 1

MMDT3904Q

Транзистор биполярный NPN/NPN, Р=200 мВт, Uкэ.макс. 40 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 200 мВ, Ток коллектора 200 мА, Граничная частота 300 МГц, Коэффициент усиления по току, min 100, Коэффициент усиления по току, max 300

Одиночные биполярные транзисторы
Цена с НДС 9,76 ₽
BC847BWQ Под заказ
YangJie MOQ 1

BC847BWQ

Корпус SOT323, Транзистор биполярный NPN, Р=200 мВт, Uкэ.макс. 45 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 500 мВ, Ток коллектора 100 мА, Граничная частота 150 МГц, Коэффициент усиления по току, min 200, Коэффициент усиления по току, max 450

Одиночные биполярные транзисторы
Цена с НДС 5,72 ₽
YJS10N02A Под заказ
YangJie MOQ 1

YJS10N02A

Корпус SOIC8, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 20 В, Iс ном. при 25°C 10 А, Rот.(мин) 11 мОм, Rот.при Uз(ном), min 11 мОм, Rот.при Uз(ном), max 18.2 мОм, диап. Uз мин. 1.8 В, диап. Uз макс. 4.5 В, Uз макс. 10 В, Qз 11.05 нКл, Р=1.9 Вт, Сз=888пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 10,65 ₽