Категория
Найдено 12 199 товаров
Под заказ
Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 30 В, Iс ном. при 25°C 5.6 А, Rот.(мин) 21 мОм, Rот.при Uз(ном), min 21 мОм, Rот.при Uз(ном), max 27 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 12.22 нКл, Р=1.2 Вт, Сз=526пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Транзистор P-MOSFET x2, TRENCH POWER LВ, полевой, -20В, -3А
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Корпус SOT223, Транзистор биполярный NPN, Р=1.5 Вт, Uкэ.макс. 80 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 500 мВ, Ток коллектора 1 А, Граничная частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 100, Коэффициент усиления по току, max 250
Одиночные биполярные транзисторы
Под заказ
Корпус SOT323, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 60 В, Iс ном. при 25°C 300 мА, Rот.(мин) 1.9 Ом, Rот.при Uз(ном), min 1.9 Ом, Rот.при Uз(ном), max 2 Ом, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 1.65 нКл, Р=300 мВт, Сз=27пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 60 В, Iс ном. при 25°C 5 А, Rот.(мин) 35 мОм, Rот.при Uз(ном), min 35 мОм, Rот.при Uз(ном), max 39 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 26.4 нКл, Р=2.5 Вт, Сз=1 018пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Транзистор MOSFET Р-кан., Uс-и макс. -30 В, Iс ном. при 25°C -4.4 А, Rот.(мин) 45.5 мОм, Rот.при Uз(ном), min 45.5 мОм, Rот.при Uз(ном), max 64 мОм, диап. Uз мин. -2.5 В, диап. Uз макс. -10 В, Uз макс. 12 В, Qз 18 нКл, Р=-1.2 Вт, Сз=1 040пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Корпус SOT23, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 60 В, Iс ном. при 25°C 300 мА, Rот.(мин) 1.9 Ом, Rот.при Uз(ном), min 1.9 Ом, Rот.при Uз(ном), max 2 Ом, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 1.22 нКл, Р=300 мВт, Сз=21пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Под заказ
Под заказ
Транзистор: NPN; биполярный; 25В; 500мА; 300мВт; SOT23
Одиночные биполярные транзисторы
Под заказ
Транзистор MOSFET Р-кан., Uс-и макс. -30 В, Iс ном. при 25°C -4.1 А, Rот.(мин) 36 мОм, Rот.при Uз(ном), min 36 мОм, Rот.при Uз(ном), max 52 мОм, диап. Uз мин. -4.5 В, диап. Uз макс. -10 В, Uз макс. 20 В, Qз 11.65 нКл, Р=1.2 Вт, Сз=572пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 60 В, Iс ном. при 25°C 300 мА, Rот.(мин) 1.9 Ом, Rот.при Uз(ном), min 1.9 Ом, Rот.при Uз(ном), max 2 Ом, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 1.65 нКл, Р=300 мВт, Сз=27пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Корпус SOT323, Транзистор MOSFET Р-кан., Uс-и макс. -60 В, Iс ном. при 25°C -0.17 А, Rот.(мин) 3.3 Ом, Rот.при Uз(ном), min 3.3 Ом, Rот.при Uз(ном), max 3.5 Ом, диап. Uз мин. -4.5 В, диап. Uз макс. -10 В, Uз макс. 20 В, Qз 1.77 нКл, Р=150 мВт, Сз=43пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Под заказ
Под заказ
Под заказ
Корпус SOT323, Транзистор биполярный PNP, Р=200 мВт, Uкэ.макс. -50 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии -0.5 В, Ток коллектора -0.05 А, Граничная частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 120, Коэффициент усиления по току, max 270
Одиночные биполярные транзисторы
Под заказ
Корпус SOT323, Транзистор биполярный PNP, Р=200 мВт, Uкэ.макс. -50 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии -0.5 В, Ток коллектора -0.05 А, Граничная частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 180, Коэффициент усиления по току, max 390
Одиночные биполярные транзисторы
Под заказ
Под заказ
Под заказ
Под заказ
Корпус SOT23, Транзистор биполярный NPN, Р=300 мВт, Напряжение КЭ максимальное 80 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 250 мВ, Ток коллектора 500 мА, Граничная рабочая частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 100
Одиночные биполярные транзисторы
Под заказ
Транзистор биполярный NPN, Р=200 мВт, Uкэ.макс. 40 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 300 мВ, Ток коллектора 600 мА, Граничная частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 100, Коэффициент усиления по току, max 300
Одиночные биполярные транзисторы