ChipBaza
Получить коммерческое предложение
Проверим наличие
перед счётом

Категория

Транзисторы

Найдено 12 206 товаров

Все категории

Подкатегории

3
IGBT (БТИЗ) транзисторы 807 Биполярные транзисторы 4 091 Полевые транзисторы 7 308
Все доступные товары
IXBH12N300 Под заказ
LITTELFUSE MOQ 1

IXBH12N300

IXBH12N300 — высоковольтный BIMOSFET Littelfuse/IXYS на 3000 В, объединяющий МОП-управление и биполярную силовую структуру; параллельно силовой цепи встроен обратный диод. Непрерывный ток коллектора составляет 12 А при температуре корпуса +110 °C и до 30 А при +25 °C, импульсный ток — 100 А. При токе 12 А и VGE 15 В напряжение насыщения типично равно 2,8 В и не превышает 3,2 В. Допустимое напряжение затвор–эмиттер составляет ±20 В постоянно и ±30 В кратковременно, рассеиваемая мощность — 160 Вт, диапазон перехода −55…+150 °C. Компонент выполнен в TO-247; документация помечает модель как не рекомендуемую для новых разработок.

Одиночные IGBT транзисторы
Цена с НДС по запросу
DTC143ECA Под заказ
YangJie MOQ 1

DTC143ECA

Корпус SOT23, Транзистор биполярный NPN, Р=200 мВт, Uкэ.макс. 50 В, Ток коллектора 100 мА, Граничная частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 20, Встроенное Rб 4.7 кОм, Встроенное Rбэ 4.7 кОм, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

Одиночные цифровые транзисторы
Цена с НДС 4,06 ₽
STP45N40DM2AG Под заказ
STMicroelectronics MOQ 1

STP45N40DM2AG

STP45N40DM2AG — автомобильный N-канальный MOSFET STMicroelectronics серии MDmesh DM2 с напряжением 400 В. Максимальный ток стока 38 А, типичное сопротивление открытого канала 63 мОм, максимальное — 72 мОм; допустимая рассеиваемая мощность 250 Вт. Быстровосстанавливающийся встроенный диод и малые заряд затвора и входная ёмкость предназначены для высокоэффективной коммутации и ZVS-фазосдвигающих преобразователей. Транзистор проходит лавинный контроль и квалифицирован по AEC-Q101. Точный вариант STP45N40DM2AG выполнен в TO-220 и поставляется в тубе.

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС по запросу