ChipBaza
Получить коммерческое предложение
Проверим наличие
перед счётом

Категория

Транзисторы

Найдено 12 206 товаров

Все категории

Подкатегории

3
IGBT (БТИЗ) транзисторы 807 Биполярные транзисторы 4 091 Полевые транзисторы 7 308
Все доступные товары
UMH9N Под заказ
YangJie MOQ 1

UMH9N

Корпус SOT363, Транзистор биполярный NPN/NPN, Р=150 мВт, Uкэ.макс. 50 В, Ток коллектора 100 мА, Граничная частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 68, Встроенное сопротивление в базовой цепи 10 кОм, Встроенное сопротивление в цепи БЭ 47 кОм

Сборки цифровых транзисторов
Цена с НДС 4,13 ₽
DTC143XCA Под заказ
YangJie MOQ 1

DTC143XCA

Корпус SOT23, Транзистор биполярный NPN, Р=200 мВт, Uкэ.макс. 50 В, Ток коллектора 100 мА, Граничная частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 30, Встроенное Rб 4.7 кОм, Встроенное Rбэ 9.87 кОм, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

Одиночные цифровые транзисторы
Цена с НДС 5,83 ₽
DTC123JUA Под заказ
YangJie MOQ 1

DTC123JUA

Корпус SOT323, Транзистор биполярный NPN, Р=200 мВт, Uкэ.макс. 50 В, Ток коллектора 100 мА, Граничная частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 80, Встроенное сопротивление в базовой цепи 2.2 кОм, Встроенное сопротивление в цепи БЭ 46.2 кОм

Одиночные цифровые транзисторы
Цена с НДС 3,19 ₽
DTC114EE Под заказ
YangJie MOQ 1

DTC114EE

Корпус SOT523, Транзистор биполярный NPN, Р=150 мВт, Uкэ.макс. 50 В, Ток коллектора 100 мА, Граничная частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 30, Встроенное Rб 10 кОм, Встроенное Rбэ 10 кОм, Примечание Small Signal Bipolar Transistor

Одиночные цифровые транзисторы
Цена с НДС 4,70 ₽
MMST3904 Под заказ
YangJie MOQ 1

MMST3904

Корпус SOT323, Транзистор биполярный NPN, Р=200 мВт, Uкэ.макс. 40 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 300 мВ, Ток коллектора 50 мА, Граничная частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 100, Коэффициент усиления по току, max 300

Одиночные биполярные транзисторы
Цена с НДС 3,88 ₽
DTC143XUA Под заказ
YangJie MOQ 1

DTC143XUA

Корпус SOT323, Транзистор биполярный NPN, Р=200 мВт, Uкэ.макс. 50 В, Ток коллектора 100 мА, Граничная частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 30, Встроенное сопротивление в базовой цепи 4.7 кОм, Встроенное сопротивление в цепи БЭ 9.87 кОм

Одиночные цифровые транзисторы
Цена с НДС 4,31 ₽