ChipBaza
Получить коммерческое предложение
Проверим наличие
перед счётом

Категория

Транзисторы

Найдено 12 206 товаров

Все категории

Подкатегории

3
IGBT (БТИЗ) транзисторы 807 Биполярные транзисторы 4 091 Полевые транзисторы 7 308
Все доступные товары
2SC1623-L6 Под заказ
YangJie MOQ 1

2SC1623-L6

Корпус SOT23, Транзистор биполярный NPN, Р=200 мВт, Uкэ.макс. 50 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 300 мВ, Ток коллектора 100 мА, Граничная частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 200, Коэффициент усиления по току, max 400

Одиночные биполярные транзисторы
Цена с НДС 2,21 ₽
MMBTA56Q Под заказ
YangJie MOQ 1

MMBTA56Q

Корпус SOT23, Транзистор биполярный PNP, Р=300 мВт, Напряжение КЭ максимальное -80 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии -0.25 В, Ток коллектора -0.5 А, Граничная рабочая частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 100

Одиночные биполярные транзисторы
Цена с НДС 6,95 ₽
BC857CW Под заказ
YangJie MOQ 1

BC857CW

Корпус SOT323, Транзистор биполярный PNP, Р=200 мВт, Uкэ.макс. -45 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии -0.65 В, Ток коллектора -0.1 А, Граничная частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 420, Коэффициент усиления по току, max 800

Одиночные биполярные транзисторы
Цена с НДС 2,43 ₽
YJQD25N04A Под заказ
YangJie MOQ 1

YJQD25N04A

Транзистор MOSFET 2N-канальный, Uс-и макс. 40 В, Iс ном. при 25°C 25 А, Rот.(мин) 14.5 мОм, Rот.при Uз(ном), min 14.5 мОм, Rот.при Uз(ном), max 18 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 23.6 нКл, Р=21 Вт, Сз=917пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 22,48 ₽
YJS3404A Под заказ
YangJie MOQ 1

YJS3404A

Корпус SOIC8, Транзистор MOSFET 2N-канальный, Uс-и макс. 30 В, Iс ном. при 25°C 8.5 А, Rот.(мин) 14 мОм, Rот.при Uз(ном), min 14 мОм, Rот.при Uз(ном), max 23 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 12.22 нКл, Р=2.5 Вт, Сз=526пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 10,83 ₽
YJG20N06A Под заказ
YangJie MOQ 1

YJG20N06A

Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 60 В, Iс ном. при 25°C 20 А, Rот.(мин) 34 мОм, Rот.при Uз(ном), min 34 мОм, Rот.при Uз(ном), max 36 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 26 нКл, Р=21 Вт, 0.043ohm, Сз=1 018пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 23,38 ₽
YJQ30N03A Под заказ
YangJie MOQ 1

YJQ30N03A

Корпус DFN30308, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 30 В, Iс ном. при 25°C 30 А, Rот.(мин) 5.8 мОм, Rот.при Uз(ном), min 5.8 мОм, Rот.при Uз(ном), max 10 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 23.6 нКл, Р=17 Вт, Сз=1 015пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 19,50 ₽
YJGD20G10A Под заказ
YangJie MOQ 1

YJGD20G10A

Транзистор MOSFET 2N-канальный, Uс-и макс. 100 В, Iс ном. при 25°C 20 А, Rот.(мин) 17 мОм, Rот.при Uз(ном), min 17 мОм, Rот.при Uз(ном), max 21 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 16 нКл, Р=17 Вт, Сз=1 051пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 47,70 ₽
YJG30N06A Под заказ
YangJie MOQ 1

YJG30N06A

Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 60 В, Iс ном. при 25°C 30 А, Rот.(мин) 16 мОм, Rот.при Uз(ном), min 16 мОм, Rот.при Uз(ном), max 17.5 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 51 нКл, Р=45 Вт, 0.02ohm, Сз=2 027пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 34,58 ₽
YJL2101W Под заказ
YangJie MOQ 1

YJL2101W

Корпус SOT323, Транзистор MOSFET Р-кан., Uс-и макс. -20 В, Iс ном. при 25°C -2 А, Rот.(мин) 100 мОм, Rот.при Uз(ном), min 100 мОм, Rот.при Uз(ном), max 175 мОм, диап. Uз мин. -1.8 В, диап. Uз макс. -4.5 В, Uз макс. 10 В, Qз 4.5 нКл, Р=250 мВт, Сз=327пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 5,06 ₽
YJQ55P02A Под заказ
YangJie MOQ 1

YJQ55P02A

Корпус DFN83X3, Транзистор MOSFET Р-кан., Uс-и макс. -20 В, Iс ном. при 25°C -55 А, Rот.(мин) 6.5 мОм, Rот.при Uз(ном), min 6.5 мОм, Rот.при Uз(ном), max 10.3 мОм, диап. Uз мин. -1.8 В, диап. Uз макс. -4.5 В, Uз макс. 10 В, Qз 149нКл, Р=38 Вт, Сз=6 358пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 30,56 ₽
YJS8205B Под заказ
YangJie MOQ 1

YJS8205B

Транзистор MOSFET 2N-канальный, Uс-и макс. 20 В, Iс ном. при 25°C 7 А, Rот.(мин) 13 мОм, Rот.при Uз(ном), min 13 мОм, Rот.при Uз(ном), max 21 мОм, диап. Uз мин. 1.8 В, диап. Uз макс. 4.5 В, Uз макс. 10 В, Qз 11.05 нКл, Р=1.5 Вт, Сз=888пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 10,21 ₽
YJS4438A Под заказ
YangJie MOQ 1

YJS4438A

Корпус SOIC8, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 60 В, Iс ном. при 25°C 8.2 А, Rот.(мин) 14.5 мОм, Rот.при Uз(ном), min 14.5 мОм, Rот.при Uз(ном), max 17 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 51 нКл, Р=3.1 Вт, Сз=2 027пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 20,26 ₽
YJL2312AL Под заказ
YangJie MOQ 1

YJL2312AL

Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 20 В, Iс ном. при 25°C 7.6 А, Rот.(мин) 12 мОм, Rот.при Uз(ном), min 12 мОм, Rот.при Uз(ном), max 20.5 мОм, диап. Uз мин. 1.8 В, диап. Uз макс. 4.5 В, Uз макс. 10 В, Qз 11.05 нКл, Р=1.5 Вт, Сз=888пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 8,26 ₽
YJG80G06B Под заказ
YangJie MOQ 1

YJG80G06B

Корпус PDFN8L5X6, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 60 В, Iс ном. при 25°C 80 А, Rот.(мин) 3 мОм, Rот.при Uз(ном), min 3 мОм, Rот.при Uз(ном), max 3.9 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 66 нКл, Р=96 Вт, Сз=4 000пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 78,79 ₽
YJQ10N02A Под заказ
YangJie MOQ 1

YJQ10N02A

Корпус DFN2020MD6, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 20 В, Iс ном. при 25°C 13 А, Rот.(мин) 7.8 мОм, Rот.при Uз(ном), min 7.8 мОм, Rот.при Uз(ном), max 12 мОм, диап. Uз мин. 1.8 В, диап. Uз макс. 4.5 В, Uз макс. 10 В, Qз 11.05 нКл, Р=2.2 Вт, Сз=888пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 14,66 ₽
YJS18N03A Под заказ
YangJie MOQ 1

YJS18N03A

Корпус SOIC8, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 30 В, Iс ном. при 25°C 18 А, Rот.(мин) 4.5 мОм, Rот.при Uз(ном), min 4.5 мОм, Rот.при Uз(ном), max 6.6 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 46.3 нКл, Р=3 Вт, Сз=2 191пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 17,24 ₽