ChipBaza
Получить коммерческое предложение
Проверим наличие
перед счётом

Категория

Транзисторы

Найдено 12 206 товаров

Все категории

Подкатегории

3
IGBT (БТИЗ) транзисторы 807 Биполярные транзисторы 4 091 Полевые транзисторы 7 308
Все доступные товары
MMBT2222AQ Под заказ
YangJie MOQ 1

MMBT2222AQ

Транзистор биполярный NPN, Р=300 мВт, Uкэ.макс. 40 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 300 мВ, Ток коллектора 600 мА, Граничная частота 300 МГц, Коэффициент усиления по току, min 100, Коэффициент усиления по току, max 300

Одиночные биполярные транзисторы
Цена с НДС 5,28 ₽
YJS2308A Под заказ
YangJie MOQ 1

YJS2308A

Корпус SOT236, Транзистор MOSFET Р-N-кан.Uс-и макс. 20 В, Iс ном. при 25°C 5.6 А, Rот.(мин) 19.5 мОм, Rот.при Uз(ном), min 19.5 мОм, Rот.при Uз(ном), max 33 мОм, диап. Uз мин. 1.8 В, диап. Uз макс. 4.5 В, Uз макс. 10 В, Qз 6.05 нКл, Р=1.3 Вт, Сз=418пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 12,98 ₽
BC817-16W Под заказ
YangJie MOQ 1

BC817-16W

Корпус SOT323, Транзистор биполярный NPN, Р=200 мВт, Uкэ.макс. 45 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 700 мВ, Ток коллектора 500 мА, Граничная частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 100, Коэффициент усиления по току, max 250

Одиночные биполярные транзисторы
Цена с НДС 4,64 ₽
YJQD30P02A Под заказ
YangJie MOQ 1

YJQD30P02A

Транзистор MOSFET 2Р-канальный, Uс-и макс. -20 В, Iс ном. при 25°C -30 А, Rот.(мин) 11 мОм, Rот.при Uз(ном), min 11 мОм, Rот.при Uз(ном), max 20 мОм, диап. Uз мин. -1.8 В, диап. Uз макс. -4.5 В, Uз макс. 10 В, Qз 72.8 нКл, Р=21 Вт, Сз=2 992пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 26,01 ₽
YJQ50N03B Под заказ
YangJie MOQ 1

YJQ50N03B

Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 30 В, Iс ном. при 25°C 50 А, Rот.(мин) 3.9 мОм, Rот.при Uз(ном), min 3.9 мОм, Rот.при Uз(ном), max 6 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 46.3 нКл, Р=25 Вт, Сз=2 191пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 20,16 ₽
2N7002KCWQ Под заказ
YangJie MOQ 1

2N7002KCWQ

Корпус SOT323, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 60 В, Iс ном. при 25°C 300 мА, Rот.(мин) 1.9 Ом, Rот.при Uз(ном), min 1.9 Ом, Rот.при Uз(ном), max 2 Ом, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 1.65 нКл, Р=300 мВт, Сз=27пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 6,54 ₽
MMBT5401Q Под заказ
YangJie MOQ 1

MMBT5401Q

Корпус SOT23, Транзистор биполярный PNP, Р=300 мВт, Uкэ.макс. -160 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии -0.5 В, Ток коллектора -0.6 А, Граничная частота 300 МГц, Коэффициент усиления по току, min 100, Коэффициент усиления по току, max 300

Одиночные биполярные транзисторы
Цена с НДС 4,95 ₽
MMBT5551Q Под заказ
YangJie MOQ 1

MMBT5551Q

Транзистор биполярный NPN, Р=300 мВт, Uкэ.макс. 160 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 200 мВ, Ток коллектора 600 мА, Граничная частота 300 МГц, Коэффициент усиления по току, min 100, Коэффициент усиления по току, max 300

Одиночные биполярные транзисторы
Цена с НДС 5,45 ₽