ChipBaza
Получить коммерческое предложение
Проверим наличие
перед счётом

Категория

Одиночные MOSFET транзисторы

Найдено 6 470 товаров

Все категории
Все доступные товары
YJS2308A Под заказ
YangJie MOQ 1

YJS2308A

Корпус SOT236, Транзистор MOSFET Р-N-кан.Uс-и макс. 20 В, Iс ном. при 25°C 5.6 А, Rот.(мин) 19.5 мОм, Rот.при Uз(ном), min 19.5 мОм, Rот.при Uз(ном), max 33 мОм, диап. Uз мин. 1.8 В, диап. Uз макс. 4.5 В, Uз макс. 10 В, Qз 6.05 нКл, Р=1.3 Вт, Сз=418пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 13,49 ₽
YJQD30P02A Под заказ
YangJie MOQ 1

YJQD30P02A

Транзистор MOSFET 2Р-канальный, Uс-и макс. -20 В, Iс ном. при 25°C -30 А, Rот.(мин) 11 мОм, Rот.при Uз(ном), min 11 мОм, Rот.при Uз(ном), max 20 мОм, диап. Uз мин. -1.8 В, диап. Uз макс. -4.5 В, Uз макс. 10 В, Qз 72.8 нКл, Р=21 Вт, Сз=2 992пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 27,05 ₽
YJQ50N03B Под заказ
YangJie MOQ 1

YJQ50N03B

Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 30 В, Iс ном. при 25°C 50 А, Rот.(мин) 3.9 мОм, Rот.при Uз(ном), min 3.9 мОм, Rот.при Uз(ном), max 6 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 46.3 нКл, Р=25 Вт, Сз=2 191пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 20,97 ₽
2N7002KCWQ Под заказ
YangJie MOQ 1

2N7002KCWQ

Корпус SOT323, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 60 В, Iс ном. при 25°C 300 мА, Rот.(мин) 1.9 Ом, Rот.при Uз(ном), min 1.9 Ом, Rот.при Uз(ном), max 2 Ом, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 1.65 нКл, Р=300 мВт, Сз=27пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 6,80 ₽
YJQD25N04A Под заказ
YangJie MOQ 1

YJQD25N04A

Транзистор MOSFET 2N-канальный, Uс-и макс. 40 В, Iс ном. при 25°C 25 А, Rот.(мин) 14.5 мОм, Rот.при Uз(ном), min 14.5 мОм, Rот.при Uз(ном), max 18 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 23.6 нКл, Р=21 Вт, Сз=917пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 23,37 ₽
YJS3404A Под заказ
YangJie MOQ 1

YJS3404A

Корпус SOIC8, Транзистор MOSFET 2N-канальный, Uс-и макс. 30 В, Iс ном. при 25°C 8.5 А, Rот.(мин) 14 мОм, Rот.при Uз(ном), min 14 мОм, Rот.при Uз(ном), max 23 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 12.22 нКл, Р=2.5 Вт, Сз=526пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 11,13 ₽
YJG20N06A Под заказ
YangJie MOQ 1

YJG20N06A

Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 60 В, Iс ном. при 25°C 20 А, Rот.(мин) 34 мОм, Rот.при Uз(ном), min 34 мОм, Rот.при Uз(ном), max 36 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 26 нКл, Р=21 Вт, 0.043ohm, Сз=1 018пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 24,31 ₽
YJQ30N03A Под заказ
YangJie MOQ 1

YJQ30N03A

Корпус DFN30308, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 30 В, Iс ном. при 25°C 30 А, Rот.(мин) 5.8 мОм, Rот.при Uз(ном), min 5.8 мОм, Rот.при Uз(ном), max 10 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 23.6 нКл, Р=17 Вт, Сз=1 015пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 20,28 ₽
YJGD20G10A Под заказ
YangJie MOQ 1

YJGD20G10A

Транзистор MOSFET 2N-канальный, Uс-и макс. 100 В, Iс ном. при 25°C 20 А, Rот.(мин) 17 мОм, Rот.при Uз(ном), min 17 мОм, Rот.при Uз(ном), max 21 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 16 нКл, Р=17 Вт, Сз=1 051пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 49,61 ₽
YJG30N06A Под заказ
YangJie MOQ 1

YJG30N06A

Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 60 В, Iс ном. при 25°C 30 А, Rот.(мин) 16 мОм, Rот.при Uз(ном), min 16 мОм, Rот.при Uз(ном), max 17.5 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 51 нКл, Р=45 Вт, 0.02ohm, Сз=2 027пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 35,96 ₽
YJL2101W Под заказ
YangJie MOQ 1

YJL2101W

Корпус SOT323, Транзистор MOSFET Р-кан., Uс-и макс. -20 В, Iс ном. при 25°C -2 А, Rот.(мин) 100 мОм, Rот.при Uз(ном), min 100 мОм, Rот.при Uз(ном), max 175 мОм, диап. Uз мин. -1.8 В, диап. Uз макс. -4.5 В, Uз макс. 10 В, Qз 4.5 нКл, Р=250 мВт, Сз=327пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 5,21 ₽
YJQ55P02A Под заказ
YangJie MOQ 1

YJQ55P02A

Корпус DFN83X3, Транзистор MOSFET Р-кан., Uс-и макс. -20 В, Iс ном. при 25°C -55 А, Rот.(мин) 6.5 мОм, Rот.при Uз(ном), min 6.5 мОм, Rот.при Uз(ном), max 10.3 мОм, диап. Uз мин. -1.8 В, диап. Uз макс. -4.5 В, Uз макс. 10 В, Qз 149нКл, Р=38 Вт, Сз=6 358пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 31,41 ₽
YJS8205B Под заказ
YangJie MOQ 1

YJS8205B

Транзистор MOSFET 2N-канальный, Uс-и макс. 20 В, Iс ном. при 25°C 7 А, Rот.(мин) 13 мОм, Rот.при Uз(ном), min 13 мОм, Rот.при Uз(ном), max 21 мОм, диап. Uз мин. 1.8 В, диап. Uз макс. 4.5 В, Uз макс. 10 В, Qз 11.05 нКл, Р=1.5 Вт, Сз=888пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 10,62 ₽