Под заказ
YJG50N03A
Корпус PDFN8L5X6, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 30 В, Iс ном. при 25°C 50 А, Rот.(мин) 3.9 мОм, Rот.при Uз(ном), min 3.9 мОм,диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 54 нКл, Р=45 Вт, 0.006ohm, Сз=2 504пФ
Одиночные MOSFET транзисторы