Категория
Найдено 6 475 товаров
Под заказ
Корпус SOIC8, Транзистор MOSFET Р-кан., Uс-и макс. -30 В, Iс ном. при 25°C -18 А, Rот.(мин) 5 мОм, Rот.при Uз(ном), min 5 мОм, Rот.при Uз(ном), max 6.9 мОм, диап. Uз мин. -4.5 В, диап. Uз макс. -10 В, Uз макс. 25 В, Qз 111.7 нКл, Р=3.4 Вт, Сз=6 464пФ
Одиночные MOSFET транзисторыТранзистор MOSFET Р-кан., Uс-и макс. -20 В, Iс ном. при 25°C -6.2 А, Rот.(мин) 29 мОм, Rот.при Uз(ном), min 29 мОм, Rот.при Uз(ном), max 55 мОм, диап. Uз мин. -1.8 В, диап. Uз макс. -4.5 В, Uз макс. 12 В, Qз 10.98 нКл, Р=2.2 Вт, Сз=1 010пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Под заказ
Корпус PDFN568, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 40 В, Iс ном. при 25°C 100 А, Rот.(мин) 2.8 мОм, Rот.при Uз(ном), min 2.8 мОм, Rот.при Uз(ном), max 4 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 102 нКл, Р=83 Вт, Сз=4 645пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 100 В, Iс ном. при 25°C 60 А, Rот.(мин) 7.2 мОм, Rот.при Uз(ном), min 7.2 мОм, диап. Uз мин. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 36 нКл, Р=88 Вт, Сз=2 431пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 30 В, Iс ном. при 25°C 150 А, Rот.(мин) 1.58 мОм, Rот.при Uз(ном), min 1.58 мОм, Rот.при Uз(ном), max 2.6 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 92.7 нКл, Р=69 Вт, Сз=4 498пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Транзистор MOSFET 2N-канальный, Uс-и макс. 30 В, Iс ном. при 25°C 30 А, Rот.(мин) 7.5 мОм, Rот.при Uз(ном), min 7.5 мОм, Rот.при Uз(ном), max 11.5 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 23.6 нКл, Р=21 Вт, Сз=1 015пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Транзистор N-MOSFET 100В 2А 1.2Вт [SOT-23-3.]
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Под заказ
Транзистор MOSFET Р-кан., Uс-и макс. -100 В, Iс ном. при 25°C -18 А, Rот.(мин) 83 мОм, Rот.при Uз(ном), min 83 мОм, Rот.при Uз(ном), max 95 мОм, диап. Uз мин. -4.5 В, диап. Uз макс. -10 В, Uз макс. 20 В, Qз 20.1 нКл, Р=72 Вт, Сз=1 051пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Корпус TO252, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 30 В, Iс ном. при 25°C 50 А, Rот.(мин) 5.4 мОм, Rот.при Uз(ном), min 5.4 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 23.6 нКл, Р=28 Вт, 50A I(D), 30V, 0.011ohm, Сз=1 015пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Корпус TO252, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 100 В, Iс ном. при 25°C 45 А, Rот.(мин) 14 мОм, Rот.при Uз(ном), min 14 мОм, диап. Uз мин. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 16 нКл, Р=72 Вт, Сз=1 135пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Под заказ
Корпус TO220, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 100 В, Iс ном. при 25°C 70 А, Rот.(мин) 7.2 мОм, Rот.при Uз(ном), min 7.2 мОм, Rот.при Uз(ном), max 8.8 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 32 нКл, Р=125 Вт, Сз=2 270пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Корпус SOT363, Транзистор MOSFET 2N-канальный, Uс-и макс. 50 В, Iс ном. при 25°C 340 мА, Rот.(мин) 1.1 Ом, Rот.при Uз(ном), min 1.1 Ом, Rот.при Uз(ном), max 1.2 Ом, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 1.7 нКл, Р=350 мВт, Сз=28.5пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Корпус SOT363, Транзистор MOSFET 2N-канальный, Uс-и макс. 60 В, Iс ном. при 25°C 300 мА, Rот.(мин) 1.9 Ом, Rот.при Uз(ном), min 1.9 Ом, Rот.при Uз(ном), max 2 Ом, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 1.65 нКл, Р=300 мВт, Сз=27пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Корпус SOT223, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 60 В, Iс ном. при 25°C 5 А, Rот.(мин) 35 мОм, Rот.при Uз(ном), min 35 мОм, Rот.при Uз(ном), max 39 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 26 нКл, Р=2.5 Вт, Сз=1 018пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Корпус TO252, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 30 В, Iс ном. при 25°C 80 А, Rот.(мин) 3.6 мОм, Rот.при Uз(ном), min 3.6 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 54 нКл, Р=44 Вт, 0.006ohm, TO-252, Сз=2 504пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Корпус SOT363, Транзистор MOSFET 2N-канальный, Uс-и макс. 60 В, Iс ном. при 25°C 340 мА, Rот.(мин) 1.2 Ом, Rот.при Uз(ном), min 1.2 Ом, Rот.при Uз(ном), max 1.3 Ом, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 30 В, Qз 1.6 нКл, Р=150 мВт, Сз=27.5пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Транзистор MOSFET Р-кан., Uс-и макс. -20 В, Iс ном. при 25°C -0.65 А, Rот.(мин) 360 мОм, Rот.при Uз(ном), min 360 мОм, Rот.при Uз(ном), max 860 мОм, диап. Uз мин. -1.8 В, диап. Uз макс. -4.5 В, Uз макс. 12 В, Qз 1.24 нКл, Р=180 мВт, Сз=71пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Корпус TO220, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 60 В, Iс ном. при 25°C 200 А, Rот.(мин) 2.35 мОм, Rот.при Uз(ном), min 2.35 мОм, Rот.при Uз(ном), max 2.9 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 93 нКл, Р=260 Вт, Сз=5 950пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Под заказ
Корпус TO252, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 20 В, Iс ном. при 25°C 60 А, Rот.(мин) 4.5 мОм, Rот.при Uз(ном), min 4.5 мОм, Rот.при Uз(ном), max 8 мОм, диап. Uз мин. 1.8 В, диап. Uз макс. 4.5 В, Uз макс. 10 В, Qз 27.9 нКл, Р=29 Вт, Сз=2 250пФ
Одиночные MOSFET транзисторыТранзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 100 В, Iс ном. при 25°C 45 А, Rот.(мин) 14 мОм, Rот.при Uз(ном), min 14 мОм, Rот.при Uз(ном), max 17 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 19 нКл, Р=73 Вт, Сз=1 165пФ
Одиночные MOSFET транзисторы