Под заказ
Категория
Одиночные MOSFET транзисторы
Найдено 6 475 товаров
Разделы каталога
33
Под заказ
Под заказ
Под заказ
Под заказ
Под заказ
Под заказ
Под заказ
Под заказ
Под заказ
Под заказ
Под заказ
Под заказ
Под заказ
Под заказ
Под заказ
Под заказ
Под заказ
Под заказ
YJS2308A
Корпус SOT236, Транзистор MOSFET Р-N-кан.Uс-и макс. 20 В, Iс ном. при 25°C 5.6 А, Rот.(мин) 19.5 мОм, Rот.при Uз(ном), min 19.5 мОм, Rот.при Uз(ном), max 33 мОм, диап. Uз мин. 1.8 В, диап. Uз макс. 4.5 В, Uз макс. 10 В, Qз 6.05 нКл, Р=1.3 Вт, Сз=418пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
YJS12G10A
Корпус SOIC8, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 100 В, Iс ном. при 25°C 12 А, Rот.(мин) 14.5 мОм, Rот.при Uз(ном), min 14.5 мОм, диап. Uз мин. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 16 нКл, Р=3.1 Вт, Сз=1 135пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Под заказ
YJQD30P02A
Транзистор MOSFET 2Р-канальный, Uс-и макс. -20 В, Iс ном. при 25°C -30 А, Rот.(мин) 11 мОм, Rот.при Uз(ном), min 11 мОм, Rот.при Uз(ном), max 20 мОм, диап. Uз мин. -1.8 В, диап. Uз макс. -4.5 В, Uз макс. 10 В, Qз 72.8 нКл, Р=21 Вт, Сз=2 992пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
YJQ50N03B
Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 30 В, Iс ном. при 25°C 50 А, Rот.(мин) 3.9 мОм, Rот.при Uз(ном), min 3.9 мОм, Rот.при Uз(ном), max 6 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 46.3 нКл, Р=25 Вт, Сз=2 191пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
2N7002KCWQ
Корпус SOT323, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 60 В, Iс ном. при 25°C 300 мА, Rот.(мин) 1.9 Ом, Rот.при Uз(ном), min 1.9 Ом, Rот.при Uз(ном), max 2 Ом, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 1.65 нКл, Р=300 мВт, Сз=27пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
YJQD25N04A
Транзистор MOSFET 2N-канальный, Uс-и макс. 40 В, Iс ном. при 25°C 25 А, Rот.(мин) 14.5 мОм, Rот.при Uз(ном), min 14.5 мОм, Rот.при Uз(ном), max 18 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 23.6 нКл, Р=21 Вт, Сз=917пФ
Одиночные MOSFET транзисторы