Промэлектроника
SKU поставщика: 327665
- Остаток
- 3 018
- MOQ / кратность
- 12 / 3 000
- Срок
- 0 дн.
- Обновлено
- 06.10.2026 10:34
MPN: SI2302CDS-T1-E3
СДЭК.
Деловые Линии.
Предварительно, с учётом количества и расчётной упаковки. Минимум 1 кг. Срок — после передачи перевозчику.
Условия доставкиЗаказ и консультация менеджера
Укажите название товара, MPN/код SI2302CDS-T1-E3 и необходимое количество.
В MAX найдите нас по номеру +7 958 623-59-59.
Цена указана за 1 шт. Итоговое наличие и срок поставки менеджер подтвердит при обработке заказа.
| Количество | Цена за 1 шт |
|---|---|
| от 1 шт | 32,89 ₽ |
| от 69 шт | 29,86 ₽ |
| от 138 шт | 27,36 ₽ |
| от 275 шт | 25,48 ₽ |
| от 549 шт | 24,08 ₽ |
Все варианты относятся к одной карточке производителя и MPN. Наличие, цена и срок подтверждаются менеджером перед поставкой.
SKU поставщика: 327665
SKU поставщика: 327665
| Предложение | Цена | Остаток | MOQ / кратность | Срок | Обновлено |
|---|---|---|---|---|---|
| Промэлектроника327665 | 32,89 ₽ | 3 018 | 12 / 3 000 | 0 дн. | 06.10.2026 10:34 |
| Промэлектроника327665 | 42,61 ₽ | 2 302 | 23 / 1 | 5 дн. | 06.10.2026 10:34 |
Добавьте товар в корзину или отправьте заявку на sales@chipbaza.ru.
По данным каталога доступно 3 018 шт. Менеджер подтвердит остаток.
Срок зависит от доступности товара. Уточните его у менеджера до оплаты.
Техническая документация доступна для просмотра и скачивания на сайте ChipBaza.
VISHAY SI2302CDS-T1-E3 — техническая документация.pdfТранзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 2.6А 0.71Вт
Перейдите к товарам того же производителя или к связанным разделам каталога.
Позиции подбираются по категории и доступным характеристикам. Это не подтверждает взаимозаменяемость — совместимость по точному артикулу уточните у менеджера.
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 4.2A SOT-23
Одиночные MOSFET транзисторыТранзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 5А 0.115Ом
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Под заказ
Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 20 В, Iс ном. при 25°C 7.6 А, Rот.(мин) 12 мОм, Rот.при Uз(ном), min 12 мОм, Rот.при Uз(ном), max 20.5 мОм, диап. Uз мин. 1.8 В, диап. Uз макс. 4.5 В, Uз макс. 10 В, Qз 11.05 нКл, Р=1.5 Вт, Сз=888пФ
Одиночные MOSFET транзисторыДополнительные позиции производителя из других разделов каталога.
В наличии
Диод выпрямительный общего применения 75В 0.3А
Одиночные диоды
В наличии
В наличии
чип тант.10В 10мкФ 10% A
Танталовые ЧИП конденсаторы
В наличии