Промэлектроника
SKU поставщика: 223331
- Остаток
- 4 532
- MOQ / кратность
- 9 / 2 500
- Срок
- 0 дн.
- Обновлено
- 04.10.2026 04:23
MPN: NCP3420DR2G
СДЭК.
Деловые Линии.
Предварительно, с учётом количества и расчётной упаковки. Минимум 1 кг. Срок — после передачи перевозчику.
Условия доставкиЗаказ и консультация менеджера
Укажите название товара, MPN/код NCP3420DR2G и необходимое количество.
В MAX найдите нас по номеру +7 958 623-59-59.
Цена указана за 1 шт. Итоговое наличие и срок поставки менеджер подтвердит при обработке заказа.
| Количество | Цена за 1 шт |
|---|---|
| от 1 шт | 44,11 ₽ |
| от 93 шт | 40,64 ₽ |
| от 185 шт | 37,86 ₽ |
| от 369 шт | 35,45 ₽ |
| от 738 шт | 33,83 ₽ |
Все варианты относятся к одной карточке производителя и MPN. Наличие, цена и срок подтверждаются менеджером перед поставкой.
SKU поставщика: 223331
SKU поставщика: 223331
SKU поставщика: 223331
| Предложение | Цена | Остаток | MOQ / кратность | Срок | Обновлено |
|---|---|---|---|---|---|
| Промэлектроника223331 | 44,11 ₽ | 4 532 | 9 / 2 500 | 0 дн. | 04.10.2026 04:23 |
| Промэлектроника223331 | 44,11 ₽ | 36 | 9 / 1 | 2 дн. | 04.10.2026 04:23 |
| Промэлектроника223331 | 45,24 ₽ | 7 079 | 2 500 / 2 500 | 26 дн. | 04.10.2026 04:23 |
Добавьте товар в корзину или отправьте заявку на sales@chipbaza.ru.
По данным каталога доступно 4 532 шт. Менеджер подтвердит остаток.
Срок зависит от доступности товара. Уточните его у менеджера до оплаты.
Техническая документация доступна для просмотра и скачивания на сайте ChipBaza.
onsemi NCP3420DR2G — техническая документация.pdfДрайвер MOSFET 12В с двойным выходом для синхронного преобразования
Перейдите к товарам того же производителя или к связанным разделам каталога.
Позиции подбираются по категории и доступным характеристикам. Это не подтверждает взаимозаменяемость — совместимость по точному артикулу уточните у менеджера.
В наличии
Драйвер MOSFET сдвоенный верхнего плеча 8-SOIC
Драйверы MOSFET, IGBT
В наличии
Драйвер затвора сдвоенный 4A 8-SOIC
Драйверы MOSFET, IGBT
В наличии
Драйвер полумостовой, Uсм=200В, Uвых=-9.8/15В, Iвых =0.35/0.65А
Драйверы MOSFET, IGBT
В наличии
Драйвер полумостовой. Uсм=600В, Uвых=-9/18В, Iвых=0.35/0.65А, Uвых в фазе с Uвх, повышенная помехоустойчивость
Драйверы MOSFET, IGBTДополнительные позиции производителя из других разделов каталога.
В наличии
Биполярный транзистор, NPN, 65 В, 0.1 А, 0.225 Вт
Одиночные биполярные транзисторы
В наличии
В наличии
В наличии
Диод выпрямительный общего применения 75В 0.2А
Одиночные диоды