Промэлектроника
SKU поставщика: 439030
- Остаток
- 187
- MOQ / кратность
- 2 / 30
- Срок
- 0 дн.
- Обновлено
- 18.10.2026 06:24
MPN: IGW20N60H3FKSA1
СДЭК.
Деловые Линии.
Предварительно, с учётом количества и расчётной упаковки. Минимум 1 кг. Срок — после передачи перевозчику.
Условия доставкиЗаказ и консультация менеджера
Укажите название товара, MPN/код IGW20N60H3FKSA1 и необходимое количество.
В MAX найдите нас по номеру +7 958 623-59-59.
Цена указана за 1 шт. Итоговое наличие и срок поставки менеджер подтвердит при обработке заказа.
| Количество | Цена за 1 шт |
|---|---|
| от 1 шт | 351,11 ₽ |
| от 3 шт | 346,00 ₽ |
| от 5 шт | 339,26 ₽ |
| от 10 шт | 329,41 ₽ |
| от 20 шт | 313,39 ₽ |
Все варианты относятся к одной карточке производителя и MPN. Наличие, цена и срок подтверждаются менеджером перед поставкой.
SKU поставщика: 439030
SKU поставщика: 439030
| Предложение | Цена | Остаток | MOQ / кратность | Срок | Обновлено |
|---|---|---|---|---|---|
| Промэлектроника439030 | 351,11 ₽ | 187 | 2 / 30 | 0 дн. | 18.10.2026 06:24 |
| Промэлектроника439030 | 351,11 ₽ | 21 | 2 / 1 | 2 дн. | 18.10.2026 06:24 |
Добавьте товар в корзину или отправьте заявку на sales@chipbaza.ru.
По данным каталога доступно 187 шт. Менеджер подтвердит остаток.
Срок зависит от доступности товара. Уточните его у менеджера до оплаты.
Техническая документация доступна для просмотра и скачивания на сайте ChipBaza.
Infineon Technologies IGW20N60H3FKSA1 — техническая документация.pdfБиполярный транзистор IGBT 600В 20А TO-247
Перейдите к товарам того же производителя или к связанным разделам каталога.
Позиции подбираются по категории и доступным характеристикам. Это не подтверждает взаимозаменяемость — совместимость по точному артикулу уточните у менеджера.
В наличии
Биполярный транзистор с изолированным затвором 1.2кВ, 150А, 938Вт, TO-247
Одиночные IGBT транзисторы
В наличии
Биполярный транзистор IGBT, 1600 В, 30 А, 310 Вт
Одиночные IGBT транзисторы
В наличии
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30А, 200 Вт
Одиночные IGBT транзисторы
В наличии
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 270 Вт
Одиночные IGBT транзисторыДополнительные позиции производителя из других разделов каталога.
В наличии
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.7А 1.25Вт, 0.092 Ом
Одиночные MOSFET транзисторы
В наличии
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 1.3Вт
Одиночные MOSFET транзисторы
В наличии
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 0.33А 0.36Вт, 2.0 Ом
Одиночные MOSFET транзисторы
В наличии
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100B, 0.17А 0.36Вт, 6 Ом
Одиночные MOSFET транзисторы