Промэлектроника
SKU поставщика: 141256
- Остаток
- 0
- MOQ / кратность
- 1 / 10
- Срок
- Уточняется
- Обновлено
- 04.10.2026 03:00
MPN: FF600R12ME4
IGBT
СДЭК.
Деловые Линии.
Предварительно, с учётом количества и расчётной упаковки. Минимум 1 кг. Срок — после передачи перевозчику.
Условия доставкиЗаказ и консультация менеджера
Укажите название товара, MPN/код FF600R12ME4 и необходимое количество.
В MAX найдите нас по номеру +7 958 623-59-59.
Цена указана за 1 шт. Итоговое наличие и срок поставки менеджер подтвердит при обработке заказа.
| Количество | Цена за 1 шт |
|---|---|
| от 1 шт | 20 434,74 ₽ |
| от 2 шт | 19 779,44 ₽ |
| от 3 шт | 19 259,29 ₽ |
| от 4 шт | 18 801,74 ₽ |
| от 5 шт | 18 492,38 ₽ |
Все варианты относятся к одной карточке производителя и MPN. Наличие, цена и срок подтверждаются менеджером перед поставкой.
SKU поставщика: 141256
| Предложение | Цена | Остаток | MOQ / кратность | Срок | Обновлено |
|---|---|---|---|---|---|
| Промэлектроника141256 | 20 434,74 ₽ | 0 | 1 / 10 | Уточняется | 04.10.2026 03:00 |
Добавьте товар в корзину или отправьте заявку на sales@chipbaza.ru.
Товар поставляется под заказ. Менеджер уточнит доступное количество.
Срок зависит от доступности товара. Уточните его у менеджера до оплаты.
Техническая документация доступна для просмотра и скачивания на сайте ChipBaza.
Infineon Technologies FF600R12ME4 — техническая документация.pdfIGBT-модуль, Trench-IGBT 4, 1200В, 600А, сдвоенный, датчик тока
Перейдите к товарам того же производителя или к связанным разделам каталога.
Позиции подбираются по категории и доступным характеристикам. Это не подтверждает взаимозаменяемость — совместимость по точному артикулу уточните у менеджера.
В наличии
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В 105 А 350 Вт
Силовые модули IGBT
Под заказ
Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 300А
Силовые модули IGBT
Под заказ
IGBT Модуль 1200В, 300А, полумостовой
Силовые модули IGBT
Под заказ
IGBT Модуль 1200В, 450А, полумостовой
Силовые модули IGBTДополнительные позиции производителя из других разделов каталога.
В наличии
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.7А 1.25Вт, 0.092 Ом
Одиночные MOSFET транзисторы
В наличии
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 0.33А 0.36Вт, 2.0 Ом
Одиночные MOSFET транзисторы
В наличии
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100B, 0.17А 0.36Вт, 6 Ом
Одиночные MOSFET транзисторы
В наличии
Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 170 МГц, 2.2 кОм+47 кОм
Сборки цифровых транзисторов