Промэлектроника
SKU поставщика: 340308
- Остаток
- 0
- MOQ / кратность
- 1 / 10
- Срок
- Уточняется
- Обновлено
- 25.10.2026 04:18
MPN: FF300R17KE4HOSA1
СДЭК.
Деловые Линии.
Предварительно, с учётом количества и расчётной упаковки. Минимум 1 кг. Срок — после передачи перевозчику.
Условия доставкиЗаказ и консультация менеджера
Укажите название товара, MPN/код FF300R17KE4HOSA1 и необходимое количество.
В MAX найдите нас по номеру +7 958 623-59-59.
Цена указана за 1 шт. Итоговое наличие и срок поставки менеджер подтвердит при обработке заказа.
| Количество | Цена за 1 шт |
|---|---|
| от 1 шт | 26 743,15 ₽ |
| от 2 шт | 25 908,79 ₽ |
| от 3 шт | 25 246,53 ₽ |
| от 4 шт | 24 663,95 ₽ |
| от 5 шт | 24 270,05 ₽ |
Все варианты относятся к одной карточке производителя и MPN. Наличие, цена и срок подтверждаются менеджером перед поставкой.
SKU поставщика: 340308
SKU поставщика: 340308
| Предложение | Цена | Остаток | MOQ / кратность | Срок | Обновлено |
|---|---|---|---|---|---|
| Промэлектроника340308 | 26 743,15 ₽ | 0 | 1 / 10 | Уточняется | 25.10.2026 04:18 |
| Промэлектроника340308 | 11 194,35 ₽ | 90 | 18 / 1 | 28 дн. | 25.10.2026 04:18 |
Добавьте товар в корзину или отправьте заявку на sales@chipbaza.ru.
Товар поставляется под заказ. Менеджер уточнит доступное количество.
Срок зависит от доступности товара. Уточните его у менеджера до оплаты.
Техническая документация доступна для просмотра и скачивания на сайте ChipBaza.
Infineon Technologies FF300R17KE4HOSA1 — техническая документация.pdfМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором
Перейдите к товарам того же производителя или к связанным разделам каталога.
Позиции подбираются по категории и доступным характеристикам. Это не подтверждает взаимозаменяемость — совместимость по точному артикулу уточните у менеджера.
Под заказ
Силовой модуль IGBT N-канальный 1200В 600А лоток
Под заказ
IGBT-модуль, Trench-IGBT 3, 1200В, 300А, сдвоенный
Под заказ
Под заказ
Дополнительные позиции производителя из других разделов каталога.
В наличии
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.7А 1.25Вт, 0.092 Ом
Одиночные MOSFET транзисторы
В наличии
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 0.33А 0.36Вт, 2.0 Ом
Одиночные MOSFET транзисторы
В наличии
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100B, 0.17А 0.36Вт, 6 Ом
Одиночные MOSFET транзисторы
В наличии
Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 170 МГц, 2.2 кОм+47 кОм
Сборки цифровых транзисторов