В наличии
MFR-12JT-52-75R
Резистор металлопленочный 1/6Вт 75Ом ±5% ±100 ppm/°C
Металлопленочные, фольговые и металлооксидные резисторыКаталог
Найдено 476 367 товаров
В наличии
Резистор металлопленочный 1/6Вт 75Ом ±5% ±100 ppm/°C
Металлопленочные, фольговые и металлооксидные резисторы
В наличии
В наличии
чип 1206 X7R 470pF ±10% 2000V
Высоковольтные конденсаторы
В наличии
В наличии
MFR100JT-73-4R7 — металлоплёночный резистор производства YAGEO. Номинальное сопротивление составляет 4,7 Ом. Допуск сопротивления — ±5 %. Мощность рассеяния — 1 Вт. Температурный коэффициент сопротивления указан как ±100 ppm/°C. Обозначение корпуса или типоразмера — MF-1.
Металлопленочные, фольговые и металлооксидные резисторы
В наличии
В наличии
чип 1206 NP0 0.01uF ±5% 50V
Конденсаторы керамические SMD
В наличии
чип 0603 NP0 100pF ±1% 50V
Конденсаторы керамические SMD
В наличии
чип тант.6.3В 10мкФ 10% A
Танталовые ЧИП конденсаторы
В наличии
NP0 180pF ±5% 50V 5.08mm
Конденсаторы керамические выводные
В наличии
4.7uH 1.32A
Индуктивности и дроссели SMD-исполнения
В наличии
Светодиод smd 1,6х0,8мм/синий/470нм/120мкд/прозрачный/130°
SMD светодиоды
В наличии
В наличии
MF 2x01F обж
Корпуса, кожухи, вставки прямоугольных разъемов (без контактов)
В наличии
чип 1206 X7R 0.33uF ±10% 50V
Конденсаторы керамические SMD
В наличии
чип 1206 X5R 10uF ±10% 10V
Конденсаторы керамические SMD
В наличии
MFR100JT-73-22R — металлоплёночный резистор производства YAGEO. Номинальное сопротивление составляет 22 Ом. Допуск сопротивления — ±5 %. Мощность рассеяния — 1 Вт. Температурный коэффициент сопротивления указан как ±100 ppm/°C. Обозначение корпуса или типоразмера — MF-1.
Металлопленочные, фольговые и металлооксидные резисторы
В наличии
В наличии
400Vdc 0.68uF ±10% P:20mm
Полиэтилентерефталатные конденсаторы
В наличии
Диод защитный от перенапряжения - TVS (супрессор) 12В включение 19.9В ограничение SMB
Диоды защиты от перенапряжения (TVS)
В наличии
Винтовой клеммный блок c рельефной обоймой, 3 контакта. Серия GT126-5.0
Клеммные блоки кабельные и на плату
В наличии
Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 35 В, 350 мВт
Транзисторы управляемые p-n переходом
В наличии
LED шунт 1А, с ESD защитой
Тиристорная защита